[超表面论文快讯-182]AFM-超宽带智能反射阵列实现电磁散射信号动态模拟-东南大学李允博团队-CSDN博客

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论文基本信息：

标题：
Ultra-Wideband Intelligent Reflectarray for Dynamic Mimicking the Electromagnetic Scattering Signals

作者：
Yong Han Liu（东南大学毫米波国家重点实验室）；
Ze Tong Zhang（东南大学毫米波国家重点实验室）；
Xian Kun Zeng（东南大学毫米波国家重点实验室）；
Xuan Hao Tian（东南大学毫米波国家重点实验室）；
Kai Nan Qi（电磁散射重点实验室）；
Zhong Ru Ren（电磁散射重点实验室）；
Shi Yu Wang（东南大学毫米波国家重点实验室）；
通讯作者 李允博（东南大学毫米波国家重点实验室）

发表时间：
2025年6月1日（其中2025年2月15日投稿，2025年4月29日返修）

发表期刊：
Advanced Functional Materials (JCR-Q1,IF=18.5 )

论文重要图文：

摘要：近年来，二维主动周期结构对电磁波的智能控制已十分普遍。然而，现有方法缺乏超宽带设计以实现频域内更高适应性与灵活调控。本文提出利用智能反射阵实现超宽带下反射幅度与相位的独立控制新方法。每个单元由紧耦合天线和有源电路组成，分别完成空间波的接收/发射及幅相信息调制。优选场路协同仿真方法分析优化结构，加工出全反射阵样机并在0.6-1.6 GHz工作频段（相对带宽90.9%）实现反射幅度连续调控与反射相位1比特切换的实测验证。进一步通过时变相位调制产生单/多普勒频移谱，该反射幅度控制与频谱搬移技术可协同模拟超宽带下各类散射信号。

结论：本文提出由紧耦合天线和有源电路构成的新型智能反射阵设计，用于超宽带电磁散射信号模拟。基于"接收-导波处理-辐射"的核心设计方法，兼顾关键部件间清晰拓扑关联与便捷电磁优化。相较于谐振结构方案，该有源单元框架有效保障超宽带性能。仅采用单元背面的单PIN二极管电路即实现反射幅度与相位的独立动态调控，分别应用于电磁吸波与频谱生成功能。通过场路协同仿真获得优异电磁特性后，加工智能反射阵样机并在0.6-1.6 GHz频段（相对带宽90.9%）实现定制化电磁功能的实测验证。该设计在无源/有源电子战领域具有射频隐身与多普勒频移动目标生成的应用价值。

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图1. 所提智能反射阵示意图：a)基于直流电压控制实现超宽带电磁吸波；b)基于交流电压调制实现超宽带频谱生成。
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图2. a)智能反射阵单元结构展开图（周期46.4 mm），紧耦合天线核心参数：w1=20.64 mm, w2=9.76 mm, w3=17.68 mm, w4=3.23 mm, g1=1.44 mm, l1=18.72 mm, l2=10.88 mm, l3=29.6 mm, l4=24.76 mm；b)单元拓扑示意图。
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图3. a)PIN二极管偏置电压(Vbias)为0.6V/1.3V时的S11幅值仿真结果（Vbias=0.6V时单元工作于吸波模式）；b)Vbias在0-1.3V变化时的反射相位差及对应幅度变化。
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图4. a)Vbias在0-0.58V变化时的S11幅值（含吸波模式）；b)Vbias在0-0.58V变化时的S11相位；c)Vbias在0.62-1.3V变化时的S11幅值（含吸波模式）；d)Vbias在0.62-1.3V变化时的S11相位。
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图5. 微波暗室远场测试中智能反射阵的直流偏压校准装置。
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图6. a)PIN二极管偏压(Vbias)为0.57V/1.3V时的S11幅值实测结果；b)Vbias在0-1.3V切换时的反射1比特相位差及对应幅度。
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图7. a)Vbias在0-0.55V变化时的S11幅值（含反射阵列吸波模式）；b)Vbias在0-0.55V变化时的S11相位；c)Vbias在0.61-1.3V变化时的S11幅值（含阵列吸波模式）；d)Vbias在0.61-1.3V变化时的S11相位。
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图8. 微波暗室远场测试装置及超宽带内不同载频下智能反射阵的时空调制信号示意图。
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图9. 基于载频的实测频谱生成结果：a,b,c)0.6GHz载频对应10/17/25kHz调制；d,e,f)0.8GHz载频；h-j)1.0GHz载频；k-m)1.2GHz载频；o-q)1.4GHz载频；r-t)1.6GHz载频。
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图10. 不同功率分配比下的实测频谱生成：a-c)0.6GHz载频对应15/16kHz；d-f)0.85GHz载频；h-j)1.1GHz载频；k-m)1.35GHz载频；o-q)1.6GHz载频对应11/23kHz。
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图11. 不同功率分配比下的实测频谱生成结果：a,b,c)0.85 GHz载频对应14/17/23/31 kHz调制；d,e,f)1.1 GHz载频；h-j)1.35 GHz载频；k-m)1.6 GHz载频。

论文快览：

解决的问题：
现代电子战与射频隐身技术亟需宽频带电磁调控能力，但现有反射阵列依赖谐振结构或分立器件，难以在超宽带（如0.6–1.6 GHz）内同时实现连续幅度调控与相位切换。传统方案受限于窄带特性（相对带宽<50%），且低频频段（P/L波段）缺乏可扩展的动态控制能力，无法满足多目标电磁信号模拟的实战需求。

提出的方法：
本研究提出基于"接收-导波处理-辐射"框架的智能反射阵列，通过紧耦合天线与单PIN二极管电路协同设计。单元结构包含垂直堆叠的紧耦合偶极子天线（实现空间波接收/辐射）和底部微带电路（集成PIN二极管）。通过调节二极管偏置电压连续改变内阻（0–∞ Ω），实现阻抗匹配状态切换：高阻态（开）时实现180°相位差，低阻态（闭）时通过阻抗匹配实现幅度调控；时间调制方波驱动下生成多普勒频谱。

实现的效果：
实验验证在0.6–1.6 GHz频段（相对带宽90.9%）实现连续幅度调控范围>10 dB，1-bit相位切换误差<±30°。吸收模式下反射衰减>10 dB，频谱生成功能成功模拟单谱（10/17/25 kHz）、双谱（功率比1:7至4:4）及四谱（14/17/23/31 kHz）信号，覆盖6种载波频率（0.6–1.6 GHz）。实测相位稳定性较仿真波动<5%，验证了宽频鲁棒性。

创新点分析：
本研究的核心突破在于将非谐振导波架构与单二极管控制策略深度融合，首次在超宽带内解决幅度-相位独立调控的兼容性难题。通过紧耦合天线替代传统谐振单元，规避了频带限制；微带电路阻抗匹配机制将复杂调控简化为电压驱动，实现低成本、高集成度设计。这种"物理拓扑-电控逻辑"协同范式，为电子战动态电磁模拟提供了可扩展解决方案，推动了智能反射阵列从窄带功能向超宽带多任务系统的跨越。

Y. H. Liu, Z. T. Zhang, X. K. Zeng, X. H. Tian, K. N. Qi, Z. R. Ren, S. Y. Wang, Y. B. Li, Ultra-Wideband Intelligent Reflectarray for Dynamic Mimicking the Electromagnetic Scattering Signals. Adv. Funct. Mater. 2025, 2504200.
DOI： https://doi.org/10.1002/adfm.202504200

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