"FTU36N06N-VB N沟道TO251封装MOS管"
FTU36N06N-VB是一种N沟道TO251封装MOS管，具有低.on阻抗和高电流承载能力。该MOS管适用于电源供应-secondary同步整流、DC/DC变换器等应用场景。
特点
*_halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
*TrenchFET® Power MOSFET
*100 % Rg and UIS Tested
*Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
应用场景
*电源供应-secondary同步整流
*DC/DC变换器
产品概要
* VDS (V)：60
* RDS(on) (Ω)：0.03 at VGS = 10 V
* ID (A)：21
* Qg (Typ.)：5
绝对最大额定值
* Drain-Source Voltage VDS：60V
* Gate-Source Voltage VGS：± 20V
* Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)：ID
* Pulsed Drain Current：IDM 100A
* Avalanche Current：IAS 40A
* Single Avalanche Energy：L = 0.1 mH EAS 80mJ
* Maximum Power Dissipation：PD 59.5W
* Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg：-55 to 150°C
热阻抗等级
* Junction-to-Ambient (PCB Mount)：RthJA 46°C/W
* Junction-to-Case (Drain)：RthJC 2.1°C/W
静态电性参数
* 静态Drain-Source Breakdown Voltage VDS：60V
* Gate Threshold Voltage VGS(th)：2.3.5
* Gate-Body Leakage IGSS：± 250nA
* Zero Gate Voltage Drain Current IDSS：
其他
* MOS管的热设计非常重要，因为它直接影响到MOS管的可靠性和寿命。因此，在实际应用中，需要根据具体情况选择合适的散热解决方案。
* 在使用MOS管之前，请务必阅读和遵守相关的安全规范和应用notes，以确保使用安全和可靠。
FTU36N06N-VB是一种高性能的N沟道TO251封装MOS管，适用于电源供应-secondary同步整流、DC/DC变换器等应用场景。
