STS2320-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### STS2320-VB N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 STS2320-VB是一款N-Channel沟道、SOT23封装的MOSFET晶体管，具有20V的最大工作电压和6A的最大电流能力。其导通电阻RDS(ON)在VGS=4.5V时为24mΩ，在VGS=8V时更低，适用于多种电源管理应用，如DC/DC转换器和便携式设备的负载开关等。 #### 主要特点 - **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义，该器件不含卤素。 - **TrenchFET® Power MOSFET**：采用先进的TrenchFET技术，提高了效率并降低了功耗。 - **100% Rg 测试**：确保了所有器件都经过严格的栅极电阻测试。 - **符合RoHS指令**：符合2002/95/EC指令要求，环保安全。 #### 应用领域 - **DC/DC转换器**：适用于需要高效转换电源的应用场景。 - **便携式设备负载开关**：用于智能手机、平板电脑等小型电子设备中的电源控制。 #### 参数概览 - **RDS(ON)**（导通电阻）： - 在VGS=4.5V时为28mΩ（60VDS） - 在VGS=8V时为42mΩ（60VDS） - 在VGS=1.8V时为50mΩ（5.6VDS） - **eQg**（栅极电荷）： - 在VGS=2.5V时为8nC - **最大功率损耗**： - 在TC=70°C时为2.1W - **最大结温**：150°C #### 绝对最大额定值 - **漏源电压VDS**：20V - **栅源电压VGS**：±12V - **连续漏极电流ID**（TJ=150°C时）：6A - 在TC=70°C时为5.15A - 在TA=25°C时为5.6A - 在TA=70°C时为4A - **脉冲漏极电流IDM**（TC=25°C时）：20A - **连续源极-漏极二极管电流CIS**： - 在TC=25°C时为1.75A - 在TA=25°C时为1.04A - **最大功率损耗CPD**： - 在TC=70°C时为2.1W - 在TA=25°C时为1.31W - 在TA=70°C时为0.8W - **操作结温和存储温度范围TJ, Tstg**：-55°C到150°C - **焊接推荐峰值温度**：260°C #### 热阻率 - **最大结温至环境热阻RA**： - 典型值：80°C/W - 最大值：100°C/W - **最大结温至脚部热阻RF**： - 典型值：40°C/W - 最大值：60°C/W #### 产品规格 - **静态参数** - **漏源击穿电压VDS**： - 在VGS=0V、ID=250μA条件下，最小值为20V #### 结论 STS2320-VB是一款性能优异的N-Channel沟道MOSFET，其低导通电阻和高电流处理能力使其成为多种电源管理和转换应用的理想选择。此外，该器件还具备良好的热性能和宽广的操作温度范围，能够在严苛环境下稳定工作。通过采用无卤素材料和符合RoHS指令的设计，STS2320-VB不仅有助于提高系统的整体效率，还满足了现代电子产品对于环境保护的要求。