STC6602-VB一种2个N+P-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

STC6602-VB是VBsemi推出的一款双通道沟道MOS管，采用SOT23-6封装，具备N型和P型两个通道。该器件具有以下特点： 1. 工作电压：N型通道最大可承受20V的源漏电压，而P型通道则可承受-20V，适合在高压应用场合中使用。 2. 最大电流：在25°C环境温度下，N型通道的连续漏电流可达5.5A，P型通道则为-2.5A。在脉冲条件下，IDM分别可达15A和10A，可以支持瞬间的大电流通过。 3. 导通电阻：在4.5V栅源电压下，N型通道的导通电阻RDS(on)最小可达20mΩ，P型通道为70mΩ，意味着在导通状态下能够以较低的电阻实现电流的传输，有效降低功率损耗。 4. 阈值电压：N型通道的阈值电压Vth在0.71V左右，P型通道则为-0.81V，这表示其开启电压较适中，易于控制。 5. 封装形式：采用SOT23-6封装形式，紧凑的设计尺寸适合空间受限的电路板设计，同时也利于提高散热性能。 该器件符合IEC 61249-2-21无卤素环保标准，并遵守RoHS 2002/95/EC指令，是一款绿色电子元器件。 在应用方面，STC6602-VB适用于开关电源、电机驱动、直流转换器、负载开关以及各种信号控制场合。由于其出色的电气性能和紧凑的封装，使得该MOS管在便携式电子产品和高性能电源管理领域有着广泛的应用。 从安全性和可靠性角度考虑，器件的绝对最大额定值需要严格遵守，包括源漏电压、栅源电压以及持续和脉冲状态下通过的电流等参数，以防止器件损坏。此外，热阻值也是重要的参考数据，它关系到器件的散热效率和使用温度范围。 STC6602-VB以其优异的电气性能、高集成度和可靠性，成为电源管理、信号控制等多种应用场景的理想选择。