STT5NF20V-VB一种N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

STT5NF20V-VB是一种N-通道沟道的MOSFET晶体管，采用SOT23-6封装，主要参数如下：最大漏源电压为30V，连续漏极电流为6A，当栅源电压为10V时，漏源导通电阻RDS(ON)为30mΩ，阈值电压Vth为1.2V。STT5NF20V-VB MOSFET是一款符合RoHS指令的产品，为无卤素设计，适用于IEC 61249-2-21标准。 此MOSFET还具备低导通电阻、低栅极电荷Qg (典型值为4.2 nC，当栅源电压为10V时) 和高电流驱动能力。在直流/直流转换器和高速开关等应用中有广泛使用，其额定最大功率、持续和脉冲漏极电流以及绝对最大额定值有明确的限定。 在高温应用环境下，此MOSFET在25°C的温度下最大持续漏极电流为6A，在70°C时为5.5A，在最高结温150°C下仍能保持稳定的性能。此外，STT5NF20V-VB MOSFET的封装对于热性能进行了优化，其最大热阻从结点到环境为100°C/W，在稳态条件下，结到脚热阻为50°C/W。 该器件的额定值和性能参数在25°C环境下测试得到。该器件符合电子行业环保要求，具有环保设计的优势。 STT5NF20V-VB还具有较低的栅源阈值电压，当漏源电压为零时，栅源漏电流和零栅压漏电流分别为±100nA和10μA。它同样具有较高的导通漏极电流，在栅源电压为10V，漏源电压小于或等于5V时，导通漏极电流为20A。 对于封装和散热，SOT23-6是小尺寸封装，对于需要紧凑布局的应用来说非常适合。然而，由于封装尺寸较小，其散热能力相对较弱，因此在使用时需要注意确保散热设计能够满足产品要求，以防止器件因过热而损坏。 为了保证焊点质量，推荐的焊接温度峰值为260°C，需要注意不要超过该温度以避免损坏MOSFET。 STT5NF20V-VB MOSFET还提供了详细的规格参数，包括静态漏源击穿电压、漏源电压温度系数、栅源阈值电压的温度系数、栅源漏电流、零栅压漏电流、导通漏极电流等，为设计人员提供了全面的参考资料。