SPN2308S23RGB-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### SPN2308S23RGB-VB：N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 SPN2308S23RGB-VB是一款高性能N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种电子设备和系统中作为开关或放大器使用。该晶体管具有较低的导通电阻(RDS(on))特性，使其在各种电源管理应用中表现出色。 #### 特点 - **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义，这款MOSFET是无卤素的，满足环保需求。 - **TrenchFET®功率MOSFET技术**：采用先进的TrenchFET技术，提供更小尺寸、更低损耗性能。 - **100% Rg测试**：确保每个产品都经过严格的栅极电阻测试，提高产品质量和一致性。 - **RoHS合规**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求，确保产品环保安全。 #### 参数规格 - **最大工作电压(VDS)**：20V - **最大连续漏极电流(ID)**： - 当环境温度为25°C时，最大连续漏极电流可达6A。 - 当环境温度为70°C时，最大连续漏极电流为4A。 - **导通电阻(RDS(on))**： - 在VGS=4.5V时，RDS(on)为24mΩ。 - 在VGS=8V时，RDS(on)同样为24mΩ。 - **阈值电压(Vth)**：0.45V至1V之间。 #### 绝对最大额定值 - **漏源电压(VDS)**：20V - **栅源电压(VGS)**：±12V - **最大连续漏极电流(ID)**： - 在结温为150°C时，最大连续漏极电流为6A。 - 在环境温度为25°C时，最大连续漏极电流为5.15A。 - 在环境温度为70°C时，最大连续漏极电流为4A。 - **脉冲漏极电流(IDM)**：20A - **最大耗散功率(CPD)**： - 在环境温度为70°C时，最大耗散功率为2.1W。 - 在环境温度为25°C时，最大耗散功率为1.3W。 - **操作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至150°C - **焊接推荐峰值温度**：260°C #### 热阻特性 - **最大结到环境热阻(RthJA)**： - 典型值为80°C/W，最大值为100°C/W。 - **最大结到引脚热阻(RthJF)**： - 典型值为40°C/W，最大值为60°C/W。 #### 应用领域 - **DC/DC转换器**：由于其低导通电阻特性和高效率，非常适合用于DC/DC转换器设计中，可以提高整体系统的能效比。 - **便携式设备负载开关**：适用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备中的电源管理系统，作为负载开关控制电源的开启和关闭。 #### 电气特性 - **静态参数**： - **漏源击穿电压(VDS)**：在VGS=0V且ID=250μA条件下测量。 #### 总结 SPN2308S23RGB-VB作为一款高性能的N-Channel沟道SOT23封装MOSFET，具有出色的电气性能和广泛的适用性。其低导通电阻和高可靠性使其成为电源管理和便携式电子设备应用的理想选择。此外，该器件还符合环保标准，适合于追求绿色生产的企业和项目。