"DDR3相关知识" DDR3 是一种高带宽并行数据总线,应用于计算机及电子产品领域。它在 DDR2 的基础上继承发展而来,数据传输速度为 DDR2 的两倍。DDR3 标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大,达到 512Mb 至 8Gb,从而使采用 DDR3 芯片的内存条容量扩大到最高 16GB。此外,DDR3 的工作电压降低为 1.5V,比采用 1.8V 的 DDR2 省电 30% 左右。 DDR3 的发展不能说是顺利的。虽然在 2005 年就已经有最初的标准发布,并于 2007 年应用于 Intel P35 “Bearlake” 芯片组上,但并没有像业界预想的那样很快替代 DDR2。这中间还经历了对 SDRAM 业界影响深远的金融危机,不但使 DDR3 占领市场的速度更加减慢,还使 DDR3 在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭,实在是让人惋惜。 尽管如此,DDR3 现今是并行 SDRAM 家族中速度最快的成熟标准,JEDEC 标准规定的 DDR3 最高速度可达 1600MT/s。不仅如此,内存厂商还可以生产速度高于 JEDEC 标准的 DDR3 产品,如速度为 2000MT/s 的 DDR3 产品,甚至有报道称其最高速度可高达 2500MT/s。 DDR 存储器的主要优势是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取数据,从而把给定时钟频率的数据速率提高 1 倍。例如,在 DDR200 器件中,数据传输频率为 200 MHz,而总线速度则为 100 MHz。 DDR 存储器的另一个特性是工作电压低。DDR1、DDR2 和 DDR3 存储器的电压分别为 2.5、1.8 和 1.5V,因此与采用 3.3V 的正常 SDRAM 芯片组相比,它们在电源管理中产生的热量更少,效率更高。 延时小是 DDR 存储器的另一特性。存储器延时性可通过一系列数字体现,如用于 DDR1 的 2-3-2-6-T1、3-4-4-8 或 2-2-2-5。这些数字表明存储器进行某一操作所需的时钟脉冲数,数字越小,存储越快。这些数字代表的操作如下: • CL:列地址选通脉冲(CAS)延迟,是从处理器发出数据内存请求到存储器返回内存间的时间。 • tRCD:行地址选通脉冲(RAS)到 CAS 的延迟,是激活行(RAS)和激活列(CAS)间的时间,其中,数据保存在矩阵中。 • tRP:RAS 预充电时间,是禁用数据行接入和开始另一行数据接入间的时间。 • tRAS:激活预充电延时,是在启动下一次存储器接入前存储器必须等待的时间。 • CMD:命令速率是存储芯片激活和向存储器发送第一个命令间的时间。有时,该值不会公布。它通常是 T1(1 个时钟速度)或 T2(2 个时钟速度)。 内存技术从 SDR,DDR,DDR2,DDR3 一路发展而来,传输速度以指数递增,除了晶圆制造工艺的提升因素之外,还因为采用了 Double Data Rate 以及 Prefetch 两项技术。实际上,无论是 SDR 还是 DDR 或 DDR2、3,内存芯片内部的核心时钟基本上是保持一致的,都是 100MHz 到 200MHz(某些厂商生产的超频内存除外)。 DDR 即 Double Data Rate 技术使数据传输速度较 SDR 提升了一倍。如下图所示,SDR 仅在时钟的上升沿传输数据,而 DDR 在时钟信号上、下沿同时传输数据。例如同为 133MHz 时钟,DDR 却可以达到 266Mb/s 的数传速度。 Double Data Rate 技术使数据外传速度提升了一倍,而芯片内部数据数据传输速度的提升则是通过 Prefetch 技术实现的。所谓 Prefetch 简单的说就是在一个内核时钟周期同时寻址多个存储单元并将这些数据以并行的方式统一传输到 IO Buffer 中,之后以更高的外传速度将 IO Buffer 中的数据传输出去。这个更高的速度在 DDR I 上就是通过 Double Data Rate 实现的,也正因为如此,DDR I 外部 Clock 管脚的频率与芯片内部的核心频率是保持一致的。 DDR3 是一种高带宽并行数据总线,具有高速、低电压、低延迟等特点,是当前计算机及电子产品领域中最流行的内存技术之一。
























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