MOS集成电路的基本制造工艺.ppt

MOS 集成电路的基本制造工艺 MOS 集成电路的基本制造工艺是指使用 CMOS 工艺技术来生产半导体集成电路的过程。CMOS 工艺技术是当代 VLSI 工艺的主流工艺技术，它是在 PMOS 与 NMOS 工艺基础上发展起来的。其特点是将 NMOS 器件与 PMOS 器件同时制作在同一硅衬底上。 CMOS 工艺技术可以分为三类，即 P 阱 CMOS 工艺、N 阱 CMOS 工艺和双阱 CMOS 工艺。P 阱 CMOS 工艺的特点是将 P 阱杂质浓度的典型值要比 N 型衬底中的高 5~10 倍才能保证器件性能。N 阱 CMOS 工艺的特点是将 N 阱杂质浓度的典型值要比 P 型衬底中的高 5~10 倍才能保证器件性能。双阱 CMOS 工艺的特点是使用双阱结构来提高器件密度和控制寄生晶体管的影响。 在 CMOS 工艺技术中，P 阱和 N 阱都是通过离子注入来实现的。P 阱 CMOS 工艺的步骤包括形成阱版、P 阱注入、P 阱扩散、腐蚀 Si3N4 和 N 阱注入等。N 阱 CMOS 工艺的步骤包括形成阱版、N 阱注入、N 阱扩散、腐蚀 Si3N4 和 P 阱注入等。双阱 CMOS 工艺的步骤包括衬底准备、光刻 P 阱、P 阱注入、去光刻胶、N 阱注入、N 阱扩散、腐蚀 Si3N4 和场区氧化等。 在 CMOS 工艺技术中，自对准结构是一种重要的技术，它可以消除用多片掩模所引起的对准误差。自对准结构可以实现自对准的源极和漏极的离子注入，从而提高器件的性能。 MOS 集成电路的基本制造工艺是指使用 CMOS 工艺技术来生产半导体集成电路的过程。CMOS 工艺技术可以分为三类，即 P 阱 CMOS 工艺、N 阱 CMOS 工艺和双阱 CMOS 工艺。CMOS 工艺技术的特点是将 NMOS 器件与 PMOS 器件同时制作在同一硅衬底上，并且可以实现自对准结构来提高器件的性能。