安森美半导体ESD保护器件ESD9R3.3S-D 数据手册.pdf

安森美半导体推出的ESD9R3.3S-D是一款专为极低电流应用设计的ESD保护器件，例如用于人体传感器的ASSPs（专用标准产品）和ASICs（专用集成电路）。该器件的特色在于其超低泄漏电流，当器件关闭时，在0°C至50°C的温度范围内，泄漏电流小于1纳安培（nA）。这意味着，即便在关闭状态下，ESD9R3.3S-D也能保持极低的功耗。 ESD9R3.3S-D具有超低电容（0.5pF）的特点，适用于高速数据线路。低电容特性意味着对于高速信号的干扰更小，从而提高了信号完整性。此外，其小巧的封装尺寸（0.039″ x 0.024″，即1.00mm x 0.60mm）和低高度（0.016″，即0.4mm），使得它非常适合空间受限的设计。该器件的封装类型为SOD-923，满足无卤素和无铅的要求，这符合当前电子行业的环保标准。 ESD9R3.3S-D在ESD（静电放电）事件发生时能够转变为钳位模式，将静电冲击电压钳制在一个安全的电压水平，保护集成电路（IC）免受损害。其响应时间小于1纳秒（ns），提供了非常快速的保护能力。此外，该器件通过了IEC 61000-4-2 Level 4标准的ESD保护测试，表明其对静电放电有很强的抵抗能力。 在最大额定值方面，ESD9R3.3S-D可在接触和空气放电模式下承受±10kV的ESD冲击电压，以及在接触放电模式下承受±16kV的HBM（人体模型）电压。它在FR-5印制电路板上的总功率耗散为1.6W（在25°C时）。器件的储存和结温范围分别是-55°C至+150°C和-55°C至+125°C。在焊接时，其引脚焊料温度最高可达260°C，持续10秒。 ESD9R3.3S-D具有特定的机械特性，如采用无空洞的转移模塑、热固性塑料封装，而且封装符合UL 94V-0的阻燃标准。器件的引脚表面处理为100%无光泽锡（Matte Sn），可以采用任何方向安装。它符合第一级的潮湿敏感度等级（MSL1），在建议的温度范围和湿度条件下，无需特别的储存要求。 在订购信息方面，ESD9R3.3S-D的封装形式为SOD-923，产品以8000个为单位的卷带和盘带方式运输。器件的标记信息包括特定的设备代码JM和日期码，日期码的位置可能因制造地点的不同而有所变化。 从应用的角度来看，ESD9R3.3S-D特别适合于使用在极端灵敏度的应用中，如人体传感器，它能够在不影响性能的前提下为这些敏感的半导体产品提供静电保护。此外，它的快速响应时间和小封装尺寸使得ESD9R3.3S-D成为在现代紧凑型电子设备中寻求可靠ESD保护的理想选择。 为了正确使用ESD9R3.3S-D，设计师需要参考安森美半导体提供的详细数据手册中的规格，确保器件在推荐的电气和环境条件下运行，避免过度应力的暴露，从而保障电子设备的可靠性和ESD9R3.3S-D器件的寿命。