在讨论PNP型双极结型晶体管（BJT）的电路行为时，我们首先要理解PNP晶体管的基本工作原理和它在电路中的一些特性。PNP晶体管由两片P型半导体之间夹着一片N型半导体组成。PNP晶体管主要通过控制从发射极（Emitter, E）到集电极（Collector, C）的电流来工作，而基极（Base, B）的作用是提供一个较小的电流来控制较大的发射极到集电极的电流。
在讨论的电路中，PNP晶体管的集电极接到了3.3V的电压。在正常情况下，对于硅材料的PNP晶体管，发射极和基极之间的电压（VEB）大于0.7V时，发射极和基极之间的PN结会导通。这个电压被称为开启电压或阈值电压。基于这个原理，很多人可能会认为当VEB大于0.7V时，晶体管就应该导通。
然而，我们看到的实测数据表明，晶体管的基极（B极）电压是2.6V，集电极（C极）电压是3.3V，而发射极（E极）电压是3.25V。根据这个数据，我们可能首先会判断PNP晶体管并没有像预期的那样导通，因为VEB实际上并没有达到0.7V。
但是，这个结论可能与实际情况不符。这是因为PNP晶体管的导通不仅仅取决于VEB，还与基极到发射极之间的电压差（VBE）有关。对于PNP晶体管，当VBE是负值时，晶体管才会导通，这在电路图中意味着基极电压低于发射极电压。
在上述问题中，由于E极电压比B极电压高，这表明PNP晶体管的发射结（B-E结）是正偏的，所以理论上晶体管应该是导通的。但是，因为实测结果与预期不符，所以提出了一些可能的解释。
其中一种解释是，测试中的PNP晶体管可能存在问题。例如，发射结反偏耐压一般在6V左右，但实际情况是2.6V加上这个反偏耐压并不会导致发射结被击穿。另外一个可能是，电路中的其他元件或者布线可能影响了测量结果。这也可能意味着所使用的晶体管并不是典型的硅PNP管，或者在测量过程中存在误解。
此外，有网友提出了CE（C-E）反接后可能形成的特性。在正常情况下，PNP晶体管的导通状态要求发射结（E-B结）是正偏，集电结（C-B结）也是正偏。而截止状态时，发射结应该是反偏的，集电结是正偏的。放大状态则要求发射结正偏，而集电结是反偏的。如果将C和E端子反接，晶体管的工作模式可能会发生改变。
在网络上的讨论中，有人提出C-E反接后晶体管可能变成一种低倍数、低电压工作的管子，如果没有基极（B极）的话，在大约7V左右时可能成为一个负阻稳压管。这暗示着晶体管的行为在特定条件下可能会发生很大的变化，而这在常规的分析中通常是不考虑的。
这个问题涉及到的知识点包括：PNP晶体管的导通条件、晶体管在不同偏置状态下的工作原理、晶体管的正偏与反偏特性、以及晶体管在异常连接情况下可能的行为。同时，这个讨论还涉及了电路分析中可能出现的误区和误差，以及实验测量时可能遇到的特殊情况和问题。
