EEPROM.zip_dspic30f3011_dsPIC30FEEPROM资源-CSDN下载

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**EEPROM.zip_dspic30f3011** 这个压缩包文件是关于Microchip公司的dsPIC30F3011微控制器（MCU）的EEPROM功能库的实现。dsPIC30F3011是一款高性能、16位数字信号控制器，它包含了一种称为电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）的非易失性存储器类型，用于在电源关闭后保存数据。 **dsPIC30F3011概述** dsPIC30F3011是dsPIC30F系列的一员，具有增强的计算能力和数字信号处理能力，适用于控制和信号处理应用。该芯片内含一个高效的哈佛架构16位CPU，支持多种数字信号处理指令。此外，它还配备了一系列外设，如模拟比较器、定时器、串行通信接口等，以及内部和外部的EEPROM。 **EEPROM功能** EEPROM是dsPIC30F3011中的一个重要特性，允许用户在程序运行时写入和读取数据，并且这些数据在断电后仍然保留。这对于存储配置参数、用户设置或者系统日志非常有用。EEPROM操作是慢速的，因此通常用于不需要快速访问但需长期保存的数据。 **EEPROM.C文件** 压缩包中的“EEPROM.C”文件是dsPIC30F3011的EEPROM功能库源代码。这个文件包含了实现对EEPROM进行读写操作的函数，例如初始化、写入、读取和擦除。这些函数通常是用C语言编写的，遵循一定的API设计，使得开发者可以方便地在应用程序中调用它们。 **常见EEPROM操作函数** 1. **初始化**：通常，库会提供一个`EEPROM_Init()`函数来设置必要的寄存器，确保EEPROM操作正确进行。 2. **写入**：`EEPROM_Write()`函数允许将数据写入指定的EEPROM地址。这个过程可能涉及到等待状态，因为EEPROM的写入速度较慢。 3. **读取**：`EEPROM_Read()`函数用于从指定的EEPROM地址读取数据，这是相对快速的操作。 4. **擦除**：`EEPROM_Erase()`函数可能用于清除特定地址或整个EEPROM区域的数据。 **使用注意事项** - EEPROM的写入次数有限，超出次数会导致其性能下降或损坏。因此，应该避免不必要的写入操作。 - 在写入EEPROM前，需要检查当前数据是否已改变，避免无谓的写入操作。 - 应使用适当的错误处理机制，如检查写入操作是否成功，防止程序异常。 - 在使用库函数时，理解其工作原理和限制是很重要的，以便正确地集成到项目中。通过理解和利用这个EEPROM库，开发者能够充分利用dsPIC30F3011的非易失性存储功能，为他们的应用提供可靠的数据保存解决方案。

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EEPROM.C 2KB

#include <p30f3011.h> #include "EEPROM.h" #define NVMCON_EraseOneRowEEPROM 0x4045 #define NVMCON_WriteOneRowEEPROM 0x4005 unsigned char EEPromData[]; void earseOneRowEEPROM(unsigned int address) //擦除一行 { NVMADRU = 0x7F; //EEPROM表头 NVMADR = address*2+0xfc00; //要檫处的地址 NVMCON = NVMCON_EraseOneRowEEPROM; //擦除一行 DISICNT=10; asm volatile("MOV #0x55 ,W2"); asm volatile("MOV W2, NVMKEY"); asm volatile("MOV #0xAA,W2"); asm volatile("MOV W2,NVMKEY"); NVMCONbits.WR = 1; //设定寄存器WR位，开始擦除 while(NVMCONbits.WR ==1); //等待完成 } void writeOneRowEEPROM(unsigned int address,unsigned int *pointer) //写一行 { register unsigned int eedata_addr; register unsigned int eedata_val; TBLPAG = 0x7F; eedata_addr = address*2+0xfc00; eedata_val = *pointer; asm volatile ("tblwtl %0, [%1]"::"r"(eedata_val),"r"(eedata_addr)); NVMCON = NVMCON_WriteOneRowEEPROM; DISICNT=10; asm volatile("MOV #0x55 ,W2"); asm volatile("MOV W2, NVMKEY"); asm volatile("MOV #0xAA,W2"); asm volatile("MOV W2,NVMKEY"); NVMCONbits.WR = 1; //设定寄存器WR位，开始擦除 while(NVMCONbits.WR ==1); //等待完成 } void getOneRowEEPromData(unsigned int address,unsigned int *pointer) //读一行 { // uint i; register unsigned int eedata_addr; register unsigned int eedata_val; TBLPAG=0x7f;//给表头寄存器赋值，准备读缓冲 // for(i=0;i<length;i++) // { eedata_addr=0xfc00+address*2; asm volatile ("tblrdl [%1], %0": "=r"(eedata_val): "r"(eedata_addr)); *pointer=eedata_val; // pointer++; // address++; // } } TxData[2] = '\0'; SetTextValue(0,0x1D,TxData); delay(10); getOneRowEEPromData(0x0004,&P_NotchDeep); SlotDeep = P_NotchDeep*10; TxData[0] = 0x30+P_FeedSpeed/100; //把参数转换为ASCII码字符串 TxData[1] = 0x30+P_FeedSpeed/10; TxData[2] = 0x30+P_FeedSpeed%10; TxData[3] = '\0'; SetTextValue(0,0x21,TxData); delay(10); }

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