MOS|IGBT|元器件

高压MOS/IGBT的短路保护电路 ### 高压MOS/IGBT的短路保护电路 #### 概述 在高压脉冲电源领域，短路故障是一种常见的现象，它可能导致MOSFET或IGBT等功率元件损坏，进而影响整个系统的稳定性和可靠性。因此，设计有效的短路保护电路对于确保...

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短路保护电路基于高压MOS/IGBT模块的设计 当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通(当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系)，因此驱动电阻上面有压降，MOS进入放大区。这个时候高电压不会通过MOS进行强电流...

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变流器的核心器件MOSFET和IGBT 在变流器中，MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为功率器件扮演着至关重要的角色。 MOSFET是一种电压控制型器件，具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好等特点。它在低压和中压环境中应用...

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电子元器件失效分析技术 电子元器件失效分析技术是电子信息技术领域不可或缺的关键环节，它涉及到元器件的可靠性和性能优化。失效分析的主要目的是找出导致元器件失效的原因，以便采取措施提高其工作寿命和稳定性，从而推动电子信息技术的...

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NX系列IGBT模块实现超低损耗 【标签】：“MOS|IGBT|元器件” 新一代NX系列IGBT模块在设计上采用了创新的沟槽型CSTBT（Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor）技术，这是一种载流子蓄积层结构的IGBT。这种技术使得模块在保持安全工作...

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大功率IGBT器件应用中常见问题解决方法 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种重要的电力电子器件，自1980年代出现以来，结合了场效应晶体管（MOSFET）的控制便捷性和双极晶体管（GTR）的高电流处理能力。由于其开关速度快、工作频率高以及拥有较大的安全工作...

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变流器核心器件MOSFET与IGBT 利用多年的实例总结了一些...有关变流器的核心器件－MOSFET和IGBT。MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛，最重要的两类核心器件。MOSFET主要应用在低压和中压（中小功率），IGBT主要应用在高压和中压（大功率）领域。

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防雷元器件的性能与应用 防雷元器件是电子系统中不可或缺的保护装置，主要用于防止雷击浪涌对设备造成损害。这些元器件根据工作原理和功能，主要分为开关元件、限压元件和防过流及过热保护元件三大类。 开关元件是防雷保护的核心部分，主要...

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基于IGBT器件的大功率DC/DC电源并联技术研究 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为目前电力电子转换技术中非常关键的器件，其应用在大功率DC/DC电源并联技术中显示出巨大优势。这种技术不仅能提高电源系统的功率密度，还能通过模块化设计实现系统的高度可靠性和灵活...

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功率器件IGBT在不间断电源（UPS）中的应用 在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT 成为UPS 功率设计的...

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三电平IGBT功率模块 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种电力电子器件，它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管的优势。IGBT具有输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、载流能力强等特点，因此在大...

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高压IGBT变频器及应用 IGBT作为一种综合了GTR和MOSFET优点的半导体器件，具有高输入阻抗、快速开关能力以及良好的导通特性。智能IGBT的引入，不仅集成了驱动电路和保护功能，而且进一步提高了变频器的效率和可靠性。 中压变频器与电力...

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IGBT集成驱动模块的研究 IGBT作为电力电子领域的重要功率器件，其在高功率、高频化、模块化的开关电源、变频器、电机控制等领域的应用，要求它必须具备良好的驱动能力和保护机制。 在介绍IGBT集成驱动模块的研究之前，首先需要了解IGBT的...

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IGBT应用设计全面剖析 众所周知，IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏...

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IGBT系统的介绍 IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点...

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IGBT使用和设计新方法 IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压...

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详解IGBT系统[图文] IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET和PNP晶体管复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，...

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分立元器件搭构的驱动控制电路驱动反激变换器原理 PWM电路可以通过分立元器件搭建，使得设计更加灵活，同时也可以考虑将其与反馈控制和自我保护电路集成到单个芯片上，实现电源的集成化。虽然国外已有如UC3842、TOPSwitch等集成控制芯片，但国内在这方面尚处于发展...

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隔离驱动IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用...

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IGBT模块驱动及保护技术 IGBT模块驱动及保护技术涉及了绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理、特性、以及如何有效驱动和保护这些器件。IGBT作为一种功率器件，在电气转换和控制电路中发挥着关键作用，尤其在中高功率场合。以下是对IGBT模块...

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如何进行IGBT保护电路设计 IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种结合了MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和BJT（双极性结型晶体管）特性的电力电子器件。IGBT具有高耐压、大电流和高频率的优点，因此被广泛应用于变频器的逆变电路中。...

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优化高电压IGBT设计方案 这样的设计需要4个IGBT，其中Q1和Q2为高侧IGBT，Q3和Q4为低侧功率器件。为了兼顾低功耗和高效率，高侧和低侧IGBT的选取与控制策略至关重要。 在优化设计中，高侧IGBT通常采用超高速沟道技术，以20kHz以上的频率进行...

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逆变H桥IGBT单管驱动及保护 IGBT在逆变H桥中使用时，如果直接采用简单的驱动电路，可能会因瞬间的电流冲击或电压波动而导致器件炸裂。这主要是因为IGBT的栅极控制电容（CGE）和寄生电容（如米勒电容）在开关过程中产生的动态效应。 为了解决这...

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完美无谐波高压IGBT变频器 该变频器不仅能够提供高达315kW至10000kW的功率输出，还采用了多项关键技术，如IGBT开关器件、直接3kV或6kV的高压输出、无需滤波器即可满足谐波要求的高功率因数等，大大提升了电力转换的效率和质量。 【完美无谐波...

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三相IGBT全桥隔离驱动电源设计 综上所述，这种三相IGBT全桥隔离驱动电源设计巧妙地结合了UC3845、TL431a、PC817等元器件，构建了高效的隔离驱动电源系统。它不仅能提供稳定的双极性电压输出，而且具有良好的负载调整能力，适用于10 kW三相IGBT全桥...

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怎样正确使用MOS集成电路 MOS集成电路，包括P沟道MOS、N沟道MOS和互补MOS（CMOS）集成电路，是一种广泛应用的半导体器件。它们的核心特点是拥有一层绝缘栅，这层栅极通常由氧化硅构成，厚度大约在25nm、50nm、80nm三种规格，用于防止电压击穿...

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舞台功放MOS管改装方法 首先，MOS管（金氧半场效应晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）和三极管（双极型晶体管，Bipolar Junction Transistor）是两种常见的半导体器件，它们在电路中的作用十分关键。MOS管属于场...

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感应加热用IGBT超音频电源 据统计，我国现有100kW级高频电源一万余台，在各个生产领域运行，而且每年还新增近1000台电子管...如果采用IGBT超音频电源不仅节能效果显著、效率高，而且保护环境。它的推广应用势必将产生巨大的经济效益和社会效益。

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IGBT的常识及使用注意事项 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为...

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IGBT构成的交流传动逆变器的设计 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种先进的半导体器件，常用于电力电子转换装置，比如交流传动逆变器的设计中。逆变器是一种将直流电能转换为交流电能的装置，广泛应用于电机驱动等场合。IGBT因其高耐压、大电流和快速...

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IGBT强驱动电路的设计 根据脉冲渗碳电源要求，设计一种具有高可靠性、信号传输无延迟、驱动能力强等特点的IGBT强驱动电路，详细分析了工作原理，并对电路测试中出现的电流尖峰进行了抑制。在此基础上得出几个主要影响驱动电路的因素。实际...

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IGBT强驱动电路的设计及电流尖峰抑制方案 通过精确的元器件选择和布局，以及适当的电路优化，可以实现高效、稳定的IGBT驱动，满足脉冲电源对电流尖峰抑制的需求。这样的驱动电路不仅提高了设备的整体效率，还增强了系统在面对过流保护等突发情况时的反应能力...

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基于IGBT的电磁振荡设计 目前，这种电磁振荡方案以其结构简单清晰、可靠性高、成本低的特点，在实际中已经得到了广泛的应用。而且这种IGBT驱动保护电路和电磁振荡方案可以在家用电器中的电磁炉、电磁电饭锅、电磁热水壶、电磁热水器等。

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IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作研究 IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板是电力电子领域中的关键材料，它主要用于提高大功率半导体器件的热管理效率。这种覆铜板由铜箔和Al2O3陶瓷基片通过Direct Bonded Copper（DBC）技术在高温（超过1000℃）和N2+O2气氛下...

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IGBT4技术提高了应用性能 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的特性，因而具有输入阻抗高、...

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IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种重要的电力电子元件，因其良好的开关性能和高压耐受能力，广泛应用于各种电力转换系统。IXDN404是IXYS公司推出的一款高性能IGBT驱动芯片，适用于驱动大功率IGBT，...

评级：0 浏览量：126 收藏量：0 资源大小：126KB 上传时间：2020-10-23

中频电阻焊机电源的IGBT保护方法 本文介绍了利用硬件保护电路，对中频直流电阻焊机逆变电源中的IGBT进行保护的方法和措施，这样不仅保护了IGBT正常使用的安全，还保证了该电源即使在恶劣的环境中也能可靠稳定的工作，从实际运用情况看，设计的保护...

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采用IGBT设计UPS的技术方案 在UPS的设计方案中，功率半导体器件的选择尤为关键，其中IGBT技术的采用已成为提升UPS性能的重要途径。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为一种先进的功率器件，它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极...

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基于IGBT的固态脉冲调制器设计 应用新型功率开关器件IGBT替代电真空器件，设计了单片机控制的固态脉冲调制器。克服了雷达脉冲调制器中广泛采用的电真空器件的局限性。Simulink仿真结果表明，调制波形及功率完全满足雷达的战术技术指标。得出了所...

评级：0 浏览量：145 收藏量：0 资源大小：258KB 上传时间：2020-10-20

不间断电源(UPS)中IGBT的应用 在UPS系统中，绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）作为一种重要的功率电子器件，因其独特的性能优势而在UPS的设计中扮演着至关重要的角色。IGBT结合了MOSFET（金属氧化物半导体场...

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MOS芯片的ESD保护电路设计 这些保护电路的主要功能是提供ESD电流的泄放路径和电压钳位，防止过高的电压冲击MOS器件。常见的保护电路设计包括双二极管保护电路，如图2所示，以及适用于双极工艺的PNP/NPN三极管组成的ESD保护电路，如图3所示。 ...

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从安全工作区探讨IGBT的失效机理 安全工作区（Safe Operating Area, SOA）是衡量IGBT可靠性和耐受能力的关键指标，它定义了器件在不同工作条件下能够稳定运行的参数范围。本文将深入探讨IGBT的四个主要安全工作区——正偏安全工作区（FBSOA）、反偏...

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基于IGBT的固态脉冲调制器设计与实现 它的出现得益于先进的MOS工艺，使得大面积功率集成成为可能，单元胞数量增加，体积减小，从而提升了器件的性能。自20世纪90年代以来，IGBT技术不断进步，如今已发展到电场截止型，能够承受6 000 V的电压和600 A的...

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新型IGBT软开关在应用中的损耗研究 - RC-IGBT（Reverse Conducting IGBT）是一种在同一芯片上集成IGBT和FWD两种功能的器件，它减少了外围组件的需求，从而降低成本和空间。 - TrenchStop技术结合场终止层概念，能在保持相同阻断电压的前提下减小晶圆...

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实用IGBT焊接电源方案及炸管对策 逆变焊接电源是利用IGBT等功率开关元件将直流电转换成交流电，经过变压器耦合，再通过整流滤波得到所需焊接电流的电源设备。逆变电焊机由逆变焊接电源和焊接装置两部分组成。在构成原理上，逆变焊接电源可以概括为一...

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精致迷你IGBT制作全过程[图解] 主变压器用EC-35铁氧体磁芯，初级0.2X20mm铜皮3T+3T，次级0.44漆包线45X4共180T分四段再串联。这样12V输入开环大约有720V输出。因高压电解选330UF/330v两个串联，高压就设计在稳压600V.保证高压电解的安全。

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基于一种IGBT驱动电路的设计方案 IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的。IGBT具有复杂的集成结构，它的工作频率可以远高于双极晶体管。IGBT已经成为功率半导体器件的主流。在10～100kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用。

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关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种重要的半导体功率开关器件，广泛应用于电力电子领域中。IGBT的导通延迟时间是指从施加控制信号到IGBT实际导通的时间差，这个参数对于功率转换电路的性能有着重要影响。传统的IGBT导...

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论述如何控制IGBT逆变器设计中的杂散电感 在IGBT逆变器设计中，杂散电感是一个关键因素，它直接影响着系统的效率、稳定性和寿命。本文主要探讨了如何控制IGBT逆变器中的杂散电感，以及其对IGBT和二极管动态损耗的影响。 首先，英飞凌推出的新一代IGBT芯片...

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汽车级IGBT在混合动力车中的应用 在混合动力车(HEV)中，IGBT（绝缘栅双极晶体管）扮演着至关重要的角色，因为它们是电力转换系统的核心元件。相对于传统的工业应用，HEV中的IGBT必须在更为恶劣的工作环境中保持高效和可靠。这些环境特征包括高温、...

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