PRACTICA # 6
ASIGNATURA: PRCTICAS DE ELECTRNICA I
RESULTADO DE APRENDIZAJE DE LA PRCTICA: (VER SLABO)
TIEMPO PLANIFICADO EN EL SILABO: 6 HORAS
TIEMPO DE LA PRCTICA POR GRUPO: 2
NUMERO DE ESTUDIANTES POR GRUPO: 3 ESTUDIANTES
1. TEMA: TRANSISTORES MOSFET
2. OBJETIVOS: (Redactar utilizando los verbos de accin de la Taxonoma de Bloom y Dave)
Comprobar el funcionamiento de la configuracin de polarizacin estable de un
transistor MOSFET de canal N.
Obtener la medicin de los circuitos propuestos.
Comparar los resultados del circuito con valores ideales y reales.
3. MATERIALES Y REACTIVOS Por Grupo
4. Equipos y herramientas Por Grupo
1 resistencias de 330k
1 resistencias de 470k
1 resistencias de 1.2k
1 resistencias de 470
1 transistor IRF640
Datasheet IRF640
1 fuente de corriente continua 12V
1 multmetro
1 protoboard
1 computadora
2 jaks
2 puntas de prueba
conectores caimn
cable para conexin en protoboard
pinzas, alicates, corta cables, pela cables
5. INSTRUCCIONES:
Colocar las mochilas en los casilleros
Prohibido consumo de alimentos
Prohibido equipo de diversin, celulares etc.
Prohibido jugar
Prohibido mover o intercambiar los equipos de los bancos de trabajo
Prohibido sacar los equipos del laboratorio sin autorizacin.
Ubicar los equipos y accesorios en el lugar dispuesto por el responsable del
laboratorio, luego de terminar las prcticas.
Uso adecuado de equipos
Uso obligatorio del mandil
Presentar el preparatorio al docente a cargo de la materia al inicio de la jornada.
Contestar las preguntas de control despus de realizarse la prctica.
Realizar el informe con todos los tems destallados en la gua.
6. ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:
POLARIZACIN CON DIVISOR DE VOLTAJE
1. Obtener los resultados matemticos del circuito que se muestra en la Fig. 1.1.
Corriente de drenaje y compuerta.
Voltaje de drenaje, compuerta y fuente.
Voltaje drenaje-fuente
2. Construir el circuito electrnico de la Fig. 1.1, utilice el software especializado
dispuesto en el laboratorio.
V1
12V
R1
330k
R3
470
Q1
IRF640
R2
R4
470k
1.2k
Fig. 1.1 Circuito cambiador de nivel
3. Simular y medir con la utilizacin de un multmetro integrado en el software los
siguientes valores:
Corriente de drenaje y compuerta.
Voltaje de drenaje, compuerta y fuente.
Voltaje drenaje-fuente.
4. Armar el circuito de la Fig. 1.1 en el protoboard.
5. Colocar las puntas de prueba en el multmetro y encenderlo.
6. Colocar las puntas de prueba en paralelo a los dispositivos en lo que se requiere
medir el voltaje.
7. Colocar las puntas de prueba en serie respecto a los dispositivos y obtener la
corriente que circula por cada uno de los terminales del transistor.
8. Registrar los resultados calculados, simulados y medidos en la Tabla 1.1.
9. Calcular y registrar en la Tabla 1.1 el error relativo entre los resultados calculados y
los resultados medidos.
Tabla 1.1 Registro de resultados.
Calculados
Corriente
drenaje
Corriente
compuerta
de
Simulados
Medidos
Error relativo
Voltaje de drenaje
Voltaje compuerta
Voltaje fuente
Voltaje
fuente
drenaje-
7. MARCO TERICO: (a elaborar por el estudiante)
Transistores MOSFET
Divisor de voltaje
Transistor IRF640
8. RESULTADOS OBTENIDOS (a elaborar por el estudiante)
9. DISCUSIN (a elaborar por el estudiante)
10. CONCLUSIONES (a elaborar por el estudiante)
11. RECOMENDACIONES (elaborar por el estudiante)
12. PREGUNTAS DE CONTROL (deben ser respondidas por el estudiante)
1) Cmo se definen las condiciones de operacin de un MOSFET?
2) A partir de qu valor el circuito con MOSFET entra en saturacin?
BIBLIOGRAFA:
MALVINO, ALBERT; BATES, DAVID J. (trad.). Principios de electrnica. 7ma. Ed.
McGRAW-HILL.
BOYLESTAD, ROBERT; NASHELSKY, LOUIS; NAVARRO SALAS, RODOLFO
(trad.).Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos. 10ma. Ed. PEARSON
EDUCACIN. Mxico, D.F. MX. 978-607-442-292-4. 894p.
