Lab.
de Circuitos Electrónicos II 2020
UNIVERSIDAD PARTICULAR CATÓLICA DE SANTA MARÍA DE
AREQUIPA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRONICA
CÓDIGO: 7406206 GUÍA DE LABORATORIO NRO
ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRONICOS II 01
PRIMERA FASE: AMPLIFICADORES CLASE D Docente(s):
Ing. Ronald P. Coaguila
EL AMPLIFICADOR CLASE Gómez
D Fecha: 2020.10.04.
PRIMERA EXPERIENCIA:
EL AMPLIFICADOR CLASE D
I. OBJETIVO: Analizar e Implementar el Amplificador clase D
II. MARCO TEORICO:
Un amplificador en clase D es un circuito que utiliza el principio del funcionamiento de corte
y saturación de los dispositivos de salida (transistores). Ésta característica de conversión
analógica digital analógica logra una eficiencia cercana al 99%.
El esquema básico de un amplificador en Clase D:
La primera etapa a la izquierda es la entrada de audio, que se modula con una señal
triangular de alta frecuencia. Ésta comparación, da como salida una señal de pulsos de alta
frecuencia, que representan tanto a la señal original, como a la señal triangular que la ha
modulado.( en PWM)
La señal de pulsos todavía es una señal de bajo voltaje, como la de audio de la entrada. El
1
Lab. de Circuitos Electrónicos II 2020
siguiente paso es amplificarla. La sección final, dividida en dos secciones de tipo Mosfet,
se
2
comportará como simples interruptores gobernados por la señal de pulsos. La parte alta de
esta señal de pulsos se va utilizar para dar la orden de activación de la mitad de la sección
final, y la parte baja de la señal se utilizara para dar la orden de activación a la otra mitad.
Luego se tiene que recuperar de la señal de pulsos amplificada. Esto se hace mediante un
filtrado paso bajo pasivo.
III. CUESTIONARIO PREVIO:
a) Con un programa simulador, exponga el circuito, aplique señal a analógica
de entrada, mida en cada nodo tensiones y corrientes, anote valores y
grafique las señales. Compare la señal de entrada y salida. Haga un barrido
de respuesta en frecuencia y grafique su característica.
b) Analizar y señalar las características eléctricas y electrónicas de los
Transistores MOSFET de potencia en AF, en base a las hojas de datos.
MOSFET IRF9530
Especificaciones máximas principales
Disipación total del dispositivo: Pd = 88W
Tensión drenaje-fuente: Vds = -100 V
Tensión compuerta- fuente: Vgs = +- 20V
Corriente continua de drenaje: Id = 12 A
Temperatura operativa máxima: Tj = 175°
Características eléctricas Principales
Tensión umbral compuerta-fuente: Vgs(th) = 4V
Carga de compuerta: Qg =38 n C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Tiempo de retardo de encendido: Td(on) = 21 ns
Tiempo de retardo de apagado: Td(off) = 100 ns
Empaquetado / Estuche : TO220AB
MOSFET IRF630
Especificaciones máximas principales
Disipación total del dispositivo: Pd = 74W
Tensión drenaje-fuente: Vds = 200 V
Tensión compuerta- fuente: Vgs = +- 20V
Corriente continua de drenaje: Id = 9 A
Temperatura operativa máxima: Tj = 150°
Características eléctricas Principales
Tensión umbral compuerta-fuente: Vgs(th) = 4V
Carga de compuerta: Qg =43 n C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Tiempo de retardo de encendido: Td(on) = 9.4 ns
Tiempo de retardo de apagado: Td(off) = 39 ns
Empaquetado / Estuche : TO220AB
DATASHEET IRF9530
DATASHEET IRF630
c) Explicar brevemente la operación en donde los transistores operan como
amplificadores y como conmutadores y cual es la función matemática que
los gobierna.
En el amplificador tenemos dos clases de transistores: MOSFET y BJT; los
cuales permiten el correcto control de la intensidad de corriente y la tensión a
la salida.
En el caso de los BJT, su función específica en el circuito es controlar los
MOSFET de tal manera que se conserve la onda con la mayor precisión sin
causar un corto circuito entre ambos. Estos transistores son gobernados por
estas ecuaciones:
Ecuaciones que gobiernan la polarización en CD de un BJT (Electrónica: teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos, Boylestad.
Por el contrario, para los MOSFET, su función es generar la señal ya
amplificada. Su objetivo es transferir la mayor cantidad de potencia sin
consumir una parte alta de esta. Es gracias a estos que la eficiencia ronda el
100% en la etapa de salida, y es más del 90% entre la alimentación y la
salida. Las ecuaciones matemáticas básicas que gobiernan un MOSFET son:
Ecuaciones que gobiernan un transistor MOSFET (Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos, Boylestad)
d) Analizar y efectuar el cálculo del siguiente circuito. Hallar y graficar los
puntos de trabajo de cada transistor, y componen activo.
e) Encontrar la función de Ganancia de tensión, corriente, potencia,
impedancias de entrada y salida del circuito
IV. MATERIAL Y EQUIPO VIRTUAL:
- 02 Fuentes de Alimentación. - 01 Osciloscopio
- Transistores según circuito - Multímetros
- Generador de señales - Resistencias según circuito
- Potenciómetros, condensadores según figs.
- 01 OP-AMP TL074 - Simulador
V. PROCEDIMIENTO
1. Construya el circuito de la Fig. 1, observando la polaridad correcta de los
capacitadores, el transistor y la fuente de energía. Ajuste la tensión de
alimentación requerida, así como de la corriente de soporte.
2. Alimente el circuito con mucho cuidado de manera de no generar transitorios
al encendido. Determine el punto “Q ” midiendo las tensiones con respecto a
tierra y las corrientes en el circuito, anote los resultados para el cuadro de
comparación final.
3. Calcule la impedancia de entrada, salida y la ganancia del amplificador.
Z¿ :
Por divisor de tensión , Z L=R V ⇒ Z L =47 k Ω
O
V=
2
Z out :
V O =11.668 V
NL
V O =11.162 V
L
ΔV O =0.506 V ⇒ R L ≡0.506 V
V O =V Z =V L + V Amp
O
VO
ZO = ∗R L
VL
11.162
ZO = ∗4
0.506
ZO =88.24 Ω
AV =¿
4. Determinar la ganancia del amplificador inyectado una señal senoidal de
50mVpp, a 1KHz.
V out 1.87
A50 mV = = =37.4
V ¿ 0.05
5. Haga un barrido de mediciones de 15 pasos de señal de entrada desde 10 Hz
hasta 1MHz, anote los resultados en un cuadro y luego grafique en papel
milimetrado logarítmico.
Tensión: 0.05 Vpk
Frecuencia Voltaje de salida Ganancia Av
10Hz 2.68 53.6 -0.03276305
20Hz 2.77 55.4 -0.01841807
50Hz 2.81 56.2 -0.01219152
100Hz 2.8 56 -0.01373981
200Hz 2.75 55 -0.02156515
500Hz 2.79 55.8 -0.01529364
1kHz 2.82 56.4 -0.01064873
2kHz 2.89 57.8 0
5kHz 2.84 56.8 -0.0075795
10kHz 2.79 55.8 -0.01529364
50kHz 2.3 46 -0.09917001
100kHz 1.85 37 -0.19372611
200kHz 1.8 36 -0.20562534
500kHz 1.73 34.6 -0.22285174
1MHz 1.6 32 -0.25677786
0
2 20 200 2 20 200
Respuesta en frecuencia
6. Compare los resultados con los simulados.
Ambas gráficas son muy cercanas la una con la otra. Esto demuestra la precisión de los
cálculos.
7. Mida la potencia real del amplificador con carga fantasma.
P=V R I R=1.91 mA∗40 V =76.4 mW
VI. CUESTIONARIO FINAL
1. Haga un análisis completo del amplificador estudiado experimentalmente
indicando los resultados teóricos y comentando sobre la estabilidad y criterios
de diseño.
2. Comente acerca del método empleado para la medición de la impedancia de
entrada de un amplificador. Al aplicar una diferencia de potencial entre 2
puntos de una red se puede determinar las impedancias en dos partes, en el
caso lo que se busca es encontrar la impedancia a la que Vi se convierta en
V1 / 2 lo que nos indicará que la impedancia es igual a la del resto de la red
circuital.
3. Medir las ganancias tensión, corriente y potencia a la frecuencia central de
cada cto. (por ej. Entre 1 y 10KHz) y Compare los resultados teóricos con los
experimentales virtuales y justifique las diferencias si las hubieran. Comente
acerca de los valores máximos de Vo y Vi, la distorsión observada porque
razón se produce y como corregir.
4. Grafique la curva de respuesta en frecuencia experimental de las
configuraciones estudiadas, indicando los puntos de quiebre y tendencias
asintóticas correspondientes.
5. Comente sobre las diferencias entre las configuraciones ensayadas, así como
sobre sus ventajas y desventajas.
VII. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES
Indicar las Conclusiones y observaciones
VIII. BIBLIOGRAFIA
TIEMPO: 3 sesiones de laboratorio 10-2020
