Institutos Tecnológicos Superiores del SGI, Grupo 4
Multisitios
Instituto Tecnológico Superior del Occidente del Estado
de Hidalgo
Manual de Prácticas
INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DEL OCCIDENTE DEL ESTADO
DE HIDALGO
División de Ingeniería Electromecánica
Plan de Estudios: IEME-2010-210
Nombre de la asignatura: Electrónica Analógica
Clave de la asignatura: AEF-1021
Semestre: Quinto
Agosto-diciembre 2024
Mixquiahuala de Juárez, Hidalgo 9 de junio de 2024
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Práctica 10. Polarización con una y dos fuentes
1._ Nombre de la práctica: Polarización con una y dos fuentes
2._ Competencia específica de la práctica: Examina e interpreta las configuraciones
básicas del BJT mediante software especializado
3._ Competencias genéricas a desarrollar durante la práctica:
• Capacidad de abstracción, análisis y síntesis
• Capacidad de aplicar los conocimientos en la práctica
• Capacidad de comunicación oral y escrita
• Habilidades en el uso de las tecnologías de la información y de la comunicación
• Capacidad para identificar, plantear y resolver problemas
Insumos, herramientas/utensilios y equipos/instrumentos.
A) Insumos
Cantidad Descripción Especificaciones
3 transistores 2N2222, 2N3904
8 resistencias 10 kΩ, 330 kΩ, 4.7 kΩ, 1 kΩ,
1.5 kΩ, 2.2 kΩ, 560 Ω, 470 Ω
1 Fotoresistencia
3 Diodo led
B) Herramientas/utensilios
Cantidad Descripción Especificaciones
1 Pinzas de corte
1 Pinzas de punta
C) Equipos/instrumentos
Cantidad Descripción Especificaciones
1 Fuente de alimentación variable 2 salidas variable y fija
2 multímetros Medición de mili y micro
amper
4._ Introducción
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5._ Desarrollo de la actividad práctica
Circuito de polarización fija
Monte el circuito y mida IB , IC y VCE .
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Compare estos valores con los que obtuvo haciendo los cálculos teóricos y en
simulación
330 KΩ
Transistor
IB (mA) IC (mA) VCE (V)
12.5uA 0.301mA 4.72V
2N2222 28.16uA 2.1818mA 8.2V
28.3uA 4.57mA 5.47V
18.6uA 15.97mA 6.47V
2N3904 28.16uA 2.1818mA 8.2V
28.2uA 4.63mA 5.371v
Adjuntar evidencia del circuito elaborado con las mediciones realizadas. (Imagen de
tamaño 6x6cm)
Circuito con polarización de emisor
Monte el circuito y mida IB , IC , VC y VE .
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Compare estos valores con los que obtuvo haciendo los cálculos teóricos y simulación
Transistor IB (mA) IC (mA) VC (V) VE (V) VCE (V)
15.3mA 0.31mA 1.5V 18.43v 1.3mV
2N2222 Teóricos Teóricos Teóricos Teóricos Teóricos
32.8uA 3.22mA 4.87V 3.90V 4.866V
3.23mA 34.4uA 15.92V 3.87V 5.7mV
2N3904 Teóricos Teóricos Teóricos Teóricos Teóricos
32.4uA 3.36mA 4.23V 4.07V 4.229V
Adjuntar evidencia del circuito elaborado con las mediciones realizadas. (Imagen de
tamaño 6x6cm)
Circuito de polarización por divisor de tensión
Montar el circuito y medir también IB , IC , VB , VC y VE ,
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Comparar con los datos teóricos y de simulación
Transistor IB (mA) IC (mA) VB (V) VC (V) VE (V) VCE (V)
1.4uA 0.31mA 0.72V 3.52V 0.15V 4.01V
2N2222 1.19mA 2.6141mA 2.1639V 8.0788V 1.4639V 6.6149V
15.4uA 2.65mA 2.28V 3.61V 2.92V 6.537V
1.5uA 0.4mA 0.75V 0.358 0.13 3.96
2N3904 1.19mA 2.6141mA 2.1639V 8.0788V 1.4639V 6.6149V
31.7uA 2.5mA 2.77V 3.37V 3.46V 6.83V
Adjuntar evidencia del circuito elaborado con las mediciones realizadas. (Imagen de
tamaño 6x6cm)
6._ Referencias bibliográficas
• Boylestad, R. y Nashelsky L. (2009). Electrónica, Teoría de circuitos (8a Ed.).
México. Pearson Educación.
• Malvino, A. (2007). Principios de electrónica (7a Ed.). México. Mc Graw Hill
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