La memoria RAM

SISTEMAS MICROINFORMÁTICOS Y REDES

 La memoria RAM
La memoria RAM es el dispositivo donde se almacenan los datos e instrucciones
necesarios para el correcto funcionamiento del equipo informático.
Esta memoria está formada por chips ensamblados en un circuito que recibe el
nombre de “módulo de memoria”.
Los módulos de memoria se colocan en unas ranuras de la placa base llamadas
zócalos de memoria.
La memoria RAM es de tipo volátil, lo que quiere decir que cuando no hay
corriente eléctrica la información desaparece, aunque hay memorias RAM que no
se comportan así.
 Características de la memoria RAM
La memoria RAM es un dispositivo donde se almacenan los datos y las instrucciones
necesarios para el correcto funcionamiento del equipo. Es la memoria de trabajo que
utilizan el sistema operativo y los programas. Las características más importantes son:
• Volatilidad: Es la cantidad de tiempo que permanecen los datos antes de
desaparecer.
• Capacidad: es la cantidad de datos que puede almacenar una memoria.
• Velocidad de acceso: se mide en nanosegundos y es el tiempo que se necesita para
realizar una operación sobre la memoria, bien sea de escritura o de lectura de datos.
• Velocidad o frecuencia de reloj. Se mide en megahercios y es la cantidad de veces
por segundo que es posible acceder a la memoria.
• Latencia: es un parámetro que hace referencia a los retardos producidos en cada
acceso a memoria. Es necesario que sea mínima para asegurar un óptimo
funcionamiento de la memoria.
• Tasa de transferencia o ancho de banda: es un parámetro que se mide en MB/s o
GB/s y representa el número de datos que se pueden leer o escribir por unidad de
tiempo.
• Voltaje: es la tensión que necesita una memoria RAM para funcionar. Cuanto menor
es este valor, menor consumo realiza nuestro equipo.
Juan Mateu
 Características de la memoria RAM
Características de la memoria RAM a tener en cuenta:
• La velocidad (se mide en Megahercios (MHz). Si tiene 800 MHz, significa que puede realizar
800 millones de operaciones (lecturas y escrituras) por segundo.
• El ancho de banda o tasa de transferencia de datos: Es la máxima cantidad de memoria que
puede transferir por segundo, se expresa en MegaBytes o en Gigabytes.
• Dual/Triple/Quad Channel: Permite a la CPU trabajar con dos/tres o cuatro canales
independientes y simultáneos para acceder a los datos. De esta manera, se multiplica el
ancho de banda. Para ello, es imprescindible rellenar los bancos de memoria con dos o tres
módulos de idénticas características.
• Tiempo de acceso. Es el tiempo que tarda la CPU en acceder a memoria. Se mide en
nanosegundos (1 nanosegundo= 10-9 segundos).
• Latencia: Es el retardo producido al acceder a los distintos componentes de la memoria RAM.
• Latencia CAS o CL: Indica el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre desde que
el controlador de memoria envía una petición para leer una posición de memoria hasta que
los datos son enviados a los pines de salida del módulo. Cuanto menor sea, más rápida será
la memoria.
• ECC (Error Checking and Correction). Todas las memorias experimentan errores, debido a
factores tales como fluctuaciones de energía, interferencias, componentes defectuosos… Las
memorias ECC son capaces de detectar y corregir algunos de estos errores.
Juan Mateu
 La memoria RAM
La memoria RAM se puede clasificar en función de la tecnología utilizada
para la fabricación de los chips. Así, disponemos de:
• RAM estática (SRAM)
• La SRAM (Static RAM) es una memoria con una capacidad reducida,
pero que alcanza grandes velocidades. Conserva la información
mientras se le suministre corriente eléctrica y no necesita ser
actualizada constantemente. Su elevado precio hace que su uso se
limite únicamente a memoria caché para microprocesadores.
• RAM dinámica (DRAM). La DRAM (Dynamic RAM) a diferencia de la
anterior, tiene mayor capacidad, pero es mucho más lenta, y más
barata. La información que contiene tiene que ser actualizada
periódicamente con cada ciclo de reloj para evitar que se pierda.
Este proceso se conoce como “refresco”. Dado su bajo, se utiliza
comúnmente como memoria principal en los equipos.
 La memoria RAM
MEMORIA RAM

RAM ESTÁTICA (SRAM) RAM DINÁMICA (DRAM)

TASA SIMPLE
TASA DOBLE (DDR)
(SDR)

DDR

DDR2

DDR3

DDR4

DDR5

GDDR
 La memoria RAM
Hay varios tipos de memoria DRAM, entre los que destacan:
• SDRAM (Synchronous Dynamic RAM), está sincronizada con las señales
de reloj y por tanto, con el bus de sistema de ordenador. Puede ser:
• SDR: funciona a la misma velocidad que el bus del sistema.
• DDR: funciona al doble de velocidad que el bus del sistema.
• DDR2: funciona cuatro veces más rápido que el bus del sistema.
• DDR3: funciona ocho veces más rápido que el bus del sistema.
• DDR4: ofrece un rendimiento más alto con una velocidad de más de
2 Gbps por pin y un consumo energético menor que DDR3. Su
voltaje se verá reducido en gran medida, llegando a alcanzar 1,05V.
• GDDR (Graphics DDR o DDR Gráfica): desarrollada por la empresa
ATI Technologies para tarjetas gráficas. Está basada en la memoria
DDR, aunque mejora los sistemas de refrigeración interna de esta
reduciendo el sobrecalentamiento.
 La memoria RAM
En los tipos de memoria DDR, cada número representa el doble de
velocidad que su inmediato anterior: lee o escribe el doble de datos en
cada ciclo de reloj:
• SDR: 1 unidad por ciclo
• DDR: 2 unidades por ciclo
• DDR2: 4 unidades por ciclo
• DDR3: 8 unidades por ciclo
• DDR4: 16 unidades por ciclo
• DDR5: 32 unidades por ciclo
La memoria GDDR es específica de la tarjeta gráfica y no es válida para la
placa base. Al igual que con la DDR, la GDDR tiene varias versiones,
existiendo en la actualidad:
• GDDR
• GDDR2
• GDDR3
• GDDR4, GDDR5 y GDDR6
 Diferencias entre las memorias RAM
Las diferencias entre los módulos de RAM
DDR3, DDR4 y DD5 se basan en:
• Diferencia entre las muescas. Las muescas
de los módulos DDR4 se encuentran en
una posición diferente a la de los módulos
DDR3. Se ha modificado levemente la
posición de la DDR4 para evitar que se
instale el módulo en una placa o
plataforma incompatible.
• Los módulos DDR4 tienen mayor grosor
que los DDR3 para acomodar más capas de
señal.
• Los módulos de DDR4 cuentan con un
borde más curvo que facilita la inserción y
alivia el esfuerzo al que se sujeta la placa al
instalar la memoria.
 Diferencias entre las memorias RAM
Es muy importante orientar adecuadamente el módulo. Para evitar este
problema, todos los módulos traen, en la zona de contacto, unas muescas
situadas en una determinada posición, en función del tipo de memoria que
sea.

La principal diferencia se da entre las memorias SDR y DDR: las memorias

SDR tienen dos muescas, mientras que las DDR tienen solo una.
Dependiendo del modelo de DDR, la muesca está en una u otra posición
para no confundirlas.
Además de las diferencias físicas, las memorias SDR y DDR son
incompatibles entre sí. Incluso existen ciertas intolerancias entre memorias
del mismo tipo (SDR y DDR), por lo que es recomendable utilizar siempre el
mismo modelo si se emplean varios módulos e incluso del mismo
fabricante y con las mismas características de frecuencia y latencia.
Comparativa de memorias RAM
Comparativa de memorias RAM
 Memoria RAM para portátil
La gama de memoria RAM para portátil es más limitada.
Los módulos se llaman SoDIMM (Small Outline DIMM, DIMM de contorno
pequeño) y son mucho más pequeños.
Al igual que sucede con los módulos de memoria RAM estándar, mantienen la
distinción de modelos usando la situación de la muesca en la zona de
contacto.
Los módulos SoDIMM, aunque están disponibles prácticamente con las
mismas características de capacidad y de velocidad, suelen ser más caros que
sus respectivos DIMM.
Por otro lado, un equipo no suele disponer de más de dos zócalos para
conectar este tipo de memoria. Muchos equipos portátiles disponen de una
única ranura y otros dispositivos, como las impresoras también.
 Memoria RAM
Los módulos de memoria, además de por la posición de sus muescas y el número de
contactos, se reconocen por su tamaño:
• SIMM (30c) = 8,9 cm (módulos de las primeras placas base de ordenadores de
323 bits. Los módulos eran de 30 o 72 contactos.
• SIMM (72c) = 10,8 cm (módulo de 72 contactos)
• DIMM = 12,7 cm (el más utilizado en la actualidad. Puede encontrarse con 168,
184 y 240 contactos en memoria SDR, DDR y DDR2/DDR3, respectivamente.
• SO-DIMM = 6,36 cm (dirigido a ordenadores portátiles). Puede hallarse con 144,
200 o 204 contactos para memorias SDR, DDR/DDR2 y DDR3 respectivamente. Se
puede encontrar con 72 y 100 contactos para dispositivos que necesitan de
memoria auxiliar como impresoras, tarjetas gráficas…
• Micro-DIMM = 3,8 cm: es el tipo de módulos más pequeño incluso que SO-
DIMM, al estar destinado a netbooks. Se puede encontrar Micro-DIMM SDR con
144 contactos, Micro-DIMM DDR con 172 contactos, Micro-DIMM DDR2 con 172
y 214 contactos y Micro-DIMM DDR3 con 214 contactos.
 Estructura física de la memoria RAM
TIPOS DE LATENCIA:
• CAS: indica el tiempo que tarda la
memòria en colocarse sobre una
columna.
• RAS: Indica el tiempo que tarda la
memòria en colocarse en una fila.
• ACTIVE: indica el tiempo que tarda la
memòria en activar un tablero.
• PRECHARGE: indica el tiempo que
tarda la memòria en desactivar un
tablero.

Los datos son almacenados en celdas de memoria individuales identificados por filas y columnas.
La latencia CAS (CL) es el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre desde que se envía una
petición para leer una posición de memoria y el momento en que los datos son enviados a los pines de
salida.
El tiempo que tarda la memoria en proporcionar el dato es la suma de las tres latencias: ACTIVE, RAS y CAS
 Memoria RAM
La frecuencia efectiva se obtiene multiplicando la velocidad de reloj por el número
de accesos por ciclo, la tasa de transferencia será el producto de la frecuencia
efectiva por el ancho del bus de datos.

¿Cuál es la equivalencia de una memoria RAM DDR3-1600?

DDR3 -> PC3 -> 8 accesos por ciclo

1600 -> 1600 MHz de frecuencia efectiva
Ancho de bus -> 8B
Tasa de transferencia (MB/s) = Frecuencia_efectiva (MHz) x Ancho de bus (B)
Tasa de transferencia = 1600 x 8 = 12800 MB/s
Así que la equivalencia sería PC3-12800
Además, su velocidad de reloj sería:
Velocidad de reloj = Frecuencia_efectiva / acceso-ciclo = 1600 / 8 = 200 MHz
 Memoria RAM
La frecuencia efectiva se obtiene multiplicando la velocidad de reloj por el número
de accesos por ciclo, la tasa de transferencia será el producto de la frecuencia
efectiva por el ancho del bus de datos.
 Especificaciones memoria RAM

¿Qué es la latencia CAS?

Es el número de ciclos de reloj que transcurren desde que la petición de datos es enviada hasta
que los datos son transmitidos desde el módulo. Al seleccionar una tarjeta de memoria RAM,
cuanto menor se la latencia CAS (dada la misma velocidad), mejor será el rendimiento del
sistema.
 Otros tipos de memoria RAM
• FPM: es un tipo de memoria dinámica más rápida que la DRAM.
• EDO: es un tipo de memoria dinámica similar al FPM, aunque con un
rendimiento ligeramente mayor.
• BEDO: mejora la memoria EDO, alcanzando velocidades un 30-35%
mayores que esta y casi el doble que FPM.
• VC-SDRAM o VCM: es un tipo de memoria que aumenta las
prestaciones de la SDRAM, ya que agrega al módulo registros SRAM
que permiten el almacenamiento temporal de datos.
• Además, existen las memorias ECC, cualidad que se aplica a otros
tipos de memoria y que permite detectar errores de datos y
corregirlos; este sistema de corrección las hace ligeramente más
lentas. Suelen emplearse en sistemas con aplicaciones críticas. Las
memorias ECC deben ser soportadas por la placa, y la BIOS tiene que
tener actividad la opción ECC (Error Correcting Code). Las memorias
que no son ECC se denominan non-ECC.
 Módulos buffered y unbuffered
• Los módulos buffered o registered tienen registros incorporados
(circuitos que aseguran la estabilidad a costa de perder rendimiento)
que actúan como almacenamiento intermedio entre la CPU y la
memoria. Este tipo de memoria aumenta la fiabilidad del sistema,
pero también retarda los tiempos de transferencias de datos entre
esta y el sistema. Se suelen usar sobretodo en servidores, donde es
mucho más importante la integridad de los datos que la velocidad.
Los módulos registered se distinguen de los unregistered por tener
varios chips de pequeño tamaño. Incluyen detección y corrección de
errores (ECC).
• Los módulos unbuffered o unregistered se comunican directamente
con el northbridge de la placa base. Esto hace que la memoria sea
más rápida, aunque menos segura que la registered.
 Fabricantes de memoria RAM
Fabricante Página Web
A-DATA http://www.adata.com/es/
CORSAIR http://www.corsair.com/es-es
GSKILL https://www.gskill.com/en/
RAMBUS https://www.rambus.com/
KINGSTON https://www.kingston.com/es/memory
CRUCIAL http://www.crucial.com/
GALAX http://www.galax.com/en/ram.html