UNIVERSIDAD DE GUADALAJARA

CENTRO UNIVERSITARIO DE CIENCIAS EXACTAS E INGENIERIAS

DIVISION ELECTRONICA Y COMPUTACION

PROFESOR: ING. JOSE JESUS RAMOS GUILLEN

REPORTE DE TAREA
NOMBRE DEL ALUMNO CÓDIGO CICLO FECHA CORREO ELECTRONICO

Corrales obeso jose pablo 218339137 2020A [email protected]

MATERIA CLAVE SECC NRC

ELECTRONICA DE POTENCIA I7263 D07 143376

TITULO DE LA TAREA NUM.

TRANSISTORES DE POTENCIA
SUBTEMAS

 TRANSISTORES BIPOLARES
 TRANSISTORES MOSFET
 TRANSISTORES IGBT
 OPTOACOPLADORES
 MODULACION POR ANCHO DE PULSO
 FUNCIONAMIENTO DE LM555
CONTENIDO

¿QUE ES UN TRANSISTOR?
El transistor es un componente electrónico construido por materiales semiconductores que prácticamente
revoluciono todos los aparatos electrónicos sin excepción alguna, ya que gracias a sus pequeñas
dimensiones y sus múltiples funcionalidades logro disminuir los tamaños de todo aparato
considerablemente. Gracias a los transistores también se logro la construcción de circuitos integrados, es
decir “Chips con infinidad de transistores capaces de tener diversos circuitos eléctricos y electrónicos en
encapsulados plásticos de tan solo unos pocos centímetros” Estos componentes están construidos por
cristales semiconductores que dependiendo de su estructura interna pueden ser denominados material N o
material P. En todos los transistores siempre se colocan dos cristales de un material y uno del otro por
ejemplo: NPN o PNP y cada cristal corresponde a una terminal que son: emisor, base y colector. El emisor
se encarga de proporcionar las cargas eléctricas, la base controla el flujo de corriente y por ultimo el colector recoge las cargas proporcionadas por el
emisor. La diferencia de usos entre transistores es que los NPN se utilizan para voltajes positivos y los PNP con voltajes negativos.. El funcionamiento y
utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
 bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT

Parámetros MOS Bipolar

Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)

Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)

Resistencia ON (saturación) Media / alta Baja

Resistencia OFF (corte) Alta Alta

Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)

Máxima temperatura de operación Alta (200ºC) Media (150ºC)

Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)

Coste Alto Medio

Nombre del alumno Fecha de entrega Página 1

 TRANSISTORES BIPOLARES

también por BJT (siglas de su denominación inglesa Bipolar Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y
colector.
La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el
terminal de colector es controlada por la corriente en el terminal de base. La mayoría de las funciones electrónicas se reali zan con circuitos que
emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los cuales son los dispositivos básicos de la electrónica moderna.
Tipos de Transistores según polarización
 NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operación. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre
dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común
es amplificada en la salida del colector. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del
emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. hasta la región de baja concentración cercana al colector.

 PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias
dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de
una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho
mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

FUNCIONAMIENTO
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga
emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector
y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. La falta de simetría es principalmente
debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. La unión colector -base está polarizada en inversa durante la operación normal. Pequeños
cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie
significativamente.
 ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
Se diferencian tres estados de funcionamiento, que dependen de las características dinámicas del circuito en el que va conectado. Estas características
son:
1. Saturación: El transistor permite el paso de corriente desde el colector al emisor. De todas formas, esta corriente no puede ser demasiado
elevada, ya que la propia corriente calienta al transistor por efecto Joule y si se calienta excesivamente, puede estropearse de forma
permanente. Para un transistor de silicio que se encuentra en saturación la tensión entre la base y el emisor es de 0,7 V y entre la base y el
colector de unos 0,5 V, de donde se deduce que la tensión entre el colector y el emisor será de unos 0,2 V.
2. Corte: En este estado el transistor no permite el paso de corriente entre el colector y el emisor, se comporta como si fuera un interruptor
abierto. Para un transistor de silicio que se encuentra en corte las corrientes de emisor y de colector son nulas y las tensiones entre la bas e y
el emisor y entre la base y el colector son ambas menores de 0,7 V.
3. Amplificación: Cuando un transistor se encuentra en este estado de funcionamiento, permite amplificar la potencia de una señal.

Nombre del alumno Fecha de entrega Página 2

 Curvas características

CURVA EMISOR COMUN

Nomenclatura del transistor

Códigos que comienzan con B (o A), por ejemplo, BC549, BC337. Según este
código:
 La B es para el silicio, A es para el Germanio
 La segunda letra indica el tipo; C significa baja frecuencia potencia de audio.
 D significa una alta potencia de frecuencia de audio.
 F significa baja potencia de alta frecuencia.
 El resto del código Nº de serie, identifica el transistor en particular

En un transistor bipolar uno de los aspectos más interesantes para su análisis y uso es el conocer las relaciones existentes entre sus tres corrientes (IE, IB
e IC). En la ecuación I tenemos una primera relación. Otras relaciones se pueden obtener definiendo una serie de parámetros dependientes de la
estructura del propio transistor.
Definimos los parámetros α y β (de continua) como la relación existente entre la corriente de colector y la de emisor, o la de emisor y la de base, es
decir:)

Operando podemos relacionar ambos parámetros de la siguiente forma:

Efecto Early

Una vez polarizado el transistor en su zona de funcionamiento se pueden producir variaciones no

deseadas de las corrientes en el mismo debidas a variaciones en la tensión colector-base. Estas variaciones
de corriente son consecuencia de la modulación de la anchura de la base, también conocida como Efecto
Early.
En un transistor bipolar, un incremento en la tensión colector-base lleva asociado un incremento en la
anchura de la zona de carga espacial de dicha unión. Este aumento provoca una disminución de la anchura
efectiva de la base, Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para la
recombinación en base. La pendiente positiva de las curvas características del transistor en zona activa es
debida a este efecto

Arriba Ancho de la región de depleción colector-base, de un

Transistor NPN para un bajo voltaje de polarización inversa; Abajo:
Región de depleción colector-base, más amplia, debido a un
voltaje de polarización inversa más elevado.

Nombre del alumno Fecha de entrega Página 3

 HOJAS DE DATOS DE ALGUNOS TRANSISTORES
https://www.mouser.mx/datasheet/2/389/tip35c-974446.pdf
https://www.mouser.mx/datasheet/2/308/tip35a-d-1196240.pdf
https://www.mouser.mx/datasheet/2/395/BC546A_series_C1703-1606079.pdf

TRANSISTORES MOSFET
un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN, como el transistor bipolar, ya que, el movimiento de carga se produce exclusivamente por
la existencia de campos eléctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del inglés, Juntion Field
Effect Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo
de la Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El
término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la
región correspondiente al canal, que también es conocida como la zona de inversión.
La estructura MOS.

Está compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido de
Silicio (SiO2) que, posee características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada. Por último, sobre esta capa, se c oloca
una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee características conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la
capsula, como se ve en la figura.

La estructura MOS, actúa como un condensador de placas paralelas en el que G y B

son las placas y el óxido, el aislante. De este modo, cuando V GB=0, la carga
acumulada es cero y la distribución de portadores es aleatoria y se corresponde al
estado de equilibrio en el semiconductor.

MOSFET de enriquecimiento de CANAL N.

Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO 2) que impide prácticamente el paso de corriente a su través; por lo que, el control de puerta se
establece en forma de tensión. La calidad y estabilidad con que es posible fabricar estas finas capas de óxido es la principal causa del éxito alcanzado con
este transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado. Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente
dopado (n +) Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de un MOSFET de tipo N, se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que
incide perpendicularmente sobre la superficie del semiconductor P. Este campo, atrae a los electrones hacia la superficie, bajo la capa de óxido,
repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo eléctrico es muy intenso se logra crear en dicha superficie una región muy rica en electrones,
denominada canal N, que permite el paso de corriente de la Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la tensión de Puerta (Gate) mayor será el campo
eléctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez creado el canal, la corriente se origina, aplicando una tensión positiva en el Drenador (Drain) respecto
a la tensión de la Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores son huecos (cargas de valor positivas, el módulo de la carga del electrón).
En este caso, para que exista conducción el campo eléctrico perpendicular a la superficie debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la
tensión aplicada ha de ser negativa. Ahora, los huecos son atraídos hacia la superficie bajo la capa de óxido, y los electrones repelidos hacia el sustrato. Si
la superficie es muy rica en huecos se forma el canal P. Cuanto más negativa sea la tensión de puerta mayor puede ser la corriente (más huecos en el
canal P), corriente que se establece al aplicar al terminal de Drenador una tensión negativa respecto al terminal de Fuente. La corriente tiene sentido
opuesto a la de un MOSFET tipo N.

 Máxima Tensión Puerta-Fuente. La delgada capa de dióxido de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el cual, impide el paso de
corriente de Puerta, tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET están protegidos con diodos zener internos,
en paralelo con la Puerta y la Fuente. La tensión del zener, es menor que la tensión Puerta-Fuente que soporta el MOSFET V GS(Max).

Nombre del alumno Fecha de entrega Página 4

  Zona Óhmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutación, por lo que evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensión
de entrada típica tomará un valor bajo o alto. La tensión baja es 0 V, y la tensión alta es V GS(on), especificado en hojas de características.
 Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se polariza en la zona activa, es equivalente a una
resistencia de RDS(on), especificada en hojas de características. En la curva característica existe un punto Q test en la zona óhmica. En este punto,
ID(on) y VDS(on) están determinados, con los cuales se calcula R DS(on)

Capacidades parásitas.
Al igual que en los transistores bipolares, la existencia de condensadores parásitos en la estructura MOS origina el retraso en la respuesta del mismo,
cuando es excitado por una señal de tensión o intensidad externa. La carga/descarga de los condensadores parásitos, requiere un determinado tiempo,
que determina la capacidad de respuesta de los MOSFET a una excitación. En la estructura y funcionamiento de estos transistores se localizan dos grupos
de capacidades:
 Las capacidades asociadas a las uniones PN de las
áreas de Drenador y Fuente. Son no lineales con las
tensiones de las uniones. Se denominan Capacidades
de Unión.
 Las capacidades relacionadas con la estructura MOS.
Están asociadas principalmente a la carga del canal
(iones o cargas libres) y varían notoriamente en
función de la región de operación del transistor, de
modo que, en general, no es posible considerar un
valor constante de las mismas. Se denominan
Capacidades de Puerta.

HOJAS DE DATOS DE ALGUNOS TRANSISTORES

http://files.microjpm.webnode.com/200004344-349cd35987/MOSFET%20P7NK80ZFP%20Datasheet.pdf
https://www.autodaewoospark.com/telco/PDF/BLF278.pdf

Ahora que conocemos la simbología, tanto del BJT como del MOSFET podemos establecer lo
siguiente:
 Ambos dispositivos son transistores
 Ambos dispositivos tienen 3 terminales
 Ambos dispositivos pueden funcionar como interruptores (o conmutadores) y como
amplificadores de señales

Transistores IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se
aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de
los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. Es un dispositivo versátil para trabajar en estas dos
áreas de la electrónica por sus grandes manejos de corriente y el pequeñísimo voltaje de saturación que normalmente maneja un transistor bipolar y al
igual que el transistor de efecto de campo FET, en la puerta o gate tiene las mismas características. La forma de conducción de corriente es similar a la de
un transistor JFET.

De acuerdo con lo mencionado anteriormente, se puede decir que el transistor BJT y el JFET se fusionan y logran crear el IGBT, sin duda un poderoso
componente electrónico.
El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las
aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.

Características

Nombre del alumno Fecha de entrega Página 5

 El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones
de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción.
Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas
corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente
de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. Sin embargo, las
corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica
de potencia es intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos siendo
más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de
unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada
muy débil en la puerta.

FABRICANTES
Dentro de los fabricantes de estos versátiles dispositivos tenemos como destacados a MITSUBISHI, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, IXYS, INFINEON
TECHNOLOGIES, STMICROELECTRONICS, ya llevan varios años en el mercado mundial distribuyendo este tipo de componentes.

TABLA COMPARATIVA IGBT CON OTROS TRANSISTORES

Circuito equivalente de un IGBT

CURVAS CARACTERÍSTICAS DE LOS IGBT

La curva característica de un IGBT es muy similar a la de un transistor bipolar.

Dentro de las regiones de trabajo de un IGBT tenemos la zona de avalancha,
saturación, corte.
Los IGBT pueden ser NPN O PNP solo puede cambiar la corriente en dirección
hacia adelante es decir del colector a emisor, a diferencia de los MOSFET que
tienen capacidades de conducción de corriente en forma bidireccional.
Controladas hacia adelante e incontrolables hacia atrás. Se puede
implementar un PWM de alto voltaje control de velocidad, fuentes de
alimentación conmutadas, y conversores de CC a CA empleando energía solar
que operan en el rango de KHZ.

Nombre del alumno Fecha de entrega Página 6

 HOJAS DE DATOS DE ALGUNOS TRANSISTORES
https://www.mouser.mx/datasheet/2/196/Infineon-IRG4PC40FD-DataSheet-v01_00-EN-1227746.pdf
https://www.mouser.mx/datasheet/2/698/r07ds0677ej0200_rjh60f7bdp-1093063.pdf
https://www.mouser.mx/datasheet/2/389/stgf7nb60sl-955903.pdf
https://www.mouser.mx/datasheet/2/389/stgb10nb40lzt4-1156512.pdf

OPTOACOPLADORES
Un optoacoplador, también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente, es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un
interruptor activado mediante la luz emitida por un diodo led que satura un componente optoelectrónico, normalmente en forma de fototransistor o
fototriac. De este modo se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y un fotorreceptor cuya conexión entre ambos es óptica. Estos
elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Se suelen
utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles.
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento eléctrico entre los circuitos de
entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el único contacto entre ambos circuitos es un haz
de luz. Esto se traduce en una resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden de
miles de MΩ. Estos aislamientos son útiles en aplicaciones de alta tensión en las que los
potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de voltios.
En general, los diferentes tipos de optoacopladores se distinguen por su diferente etapa de
salida. Entre los principales caben destacar el fototransistor, ya mencionado, el fototriac y el
fototriac de paso por cero. En este último, su etapa de salida es un triac de cruce por cero, que
posee un circuito interno que conmuta al triac sólo en los cruce por cero de la fuente.
Además de para aislar circuitos, se pueden utilizar optoacopladores para:
 Interfaces en circuitos lógicos.
 Interfaces entre señales de corriente alterna y circuitos
lógicos.
 En sistemas de recepción (telefonía).
 Control de potencia.
 A modo de relé.
 Etc.
Las aplicaciones de optoacopladores incluyen el de activar cargas que puedan inducir ruido eléctrico al
sistema de control. Cuando una carga inductiva como un motor se activa y desactiva produce perturbaciones como por ejemplo eléctricas en la
alimentación del sistema. Incluso cargas que consumen mucha potencia de la fuente pueden drenar momentáneamente el voltaje o la corriente que
dicha fuente sumista. Los optoacopladores se usan para aislar a estas perturbaciones electronicas.
Comunmente se usan a los optoacopladores con otros elementos de control como MOSFET’s, TRIACS, transistores de potencia, rele vadores mecánicos ó
relevadores de estado solido. En este caso, cuando se usan en conjunto con otros circuitos electrónicos, el objetivo es aislar a la fuente del sistema de
control de las perturbaciones que puedan ocasionar el encendido o apagado de los actuadores como motores, luces, etc.
Generalmente no se usan sólos debido a que no tienen demasiada capacidad para disipar mucha potencia.

Modulación por ancho de pulso

La modulación por ancho o de pulso (o en inglés pulse width modulation PWM)
es un tipo de señal de voltaje utilizada para enviar información o para modificar
la cantidad de energía que se envía a una carga. Este tipo de señales es muy
utilizada en circuitos digitales que necesitan emular una señal analógica.
Este tipo de señales son de tipo cuadrada o sinusiodales en las cuales se les
cambia el ancho relativo respecto al período de la misma, el resultado de este
cambio es llamado ciclo de trabajo y sus unidades están representadas en
términos de porcentaje. Matemáticamente se tiene que:

D = ciclo de trabajo
= tiempo en que la señal es positiva
T = Período
Para emular una señal analógica se cambia el ciclo de trabajo (duty cicle en inglés) de tal manera que el valor promedio de la señal sea el voltaje
aproximado que se desea obtener, pudiendo entonces enviar voltajes entre 0[V] y el máximo que soporte el dispositivo PWM util izado, en el caso de
Arduino es 5[V].
En Arduino este tipo de señales sólo puede ser realizado con los pines que tienen el símbolo ~ en sus números. En Arduino UNO son los pines 3, 5, 6, 9,
10 y 11.

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 La señal en Arduino tiene valores de 0[V] a 5[V] y una frecuencia de aproximadamente 500[Hz]. En los pines 5 y 6 esta frecuencia es aproximadamente el
doble.
Las aplicaciones típicas para este tipo de señales son: Controlar intensidad de un LED, mover servomotores, controlar LED RGB, controlar velocidad de
motores de corriente continua y controlar motores eléctricos de inducción o asincrónicos.
En la actualidad existen muchos circuitos integrados en los que se implementa la modulación PWM, además de otros muy particul ares para lograr
circuitos funcionales que puedan controlar fuentes conmutadas, controles de motores, controles de elementos termoeléctricos, choppers para sensores
en ambientes ruidosos y algunas otras aplicaciones. Se distinguen por fabricar este tipo de integrados compañías como Texas Instruments, National
Semiconductor, Maxim, y algunas otras más.
En los motores
La modulación por ancho de pulsos es una técnica utilizada para regular la velocidad de giro de los motores eléctricos de inducción o asíncronos.u
Mantiene el par motor constante y no supone un desaprovechamiento de la energía eléctrica. Se utiliza tanto en corriente continua como en alterna,
como su nombre lo indica, al controlar: un momento alto (encendido o alimentado) y un momento bajo (apagado o desconectado), controlado
normalmente por relès (baja frecuencia) o MOSFET o tiristores (alta frecuencia).
Otros sistemas para regular la velocidad modifican la tensión eléctrica, con lo que disminuye el par motor; o interponen una resistencia eléctrica, con lo
que se pierde energía en forma de calor en esta resistencia.
Otra forma de regular el giro del motor es variando el tiempo entre pulsos de duración constante, lo que se llama modulación por frecuencia de pulsos.
En los motores de corriente alterna también se puede utilizar la variación de frecuencia.
La modulación por ancho de pulsos también se usa para controlar servomotores, los cuales modifican su posición de acuerdo al ancho del pulso enviado
cada un cierto período que depende de cada servo motor. Esta información puede ser enviada utilizando un microprocesador como el Z80, o
un microcontrolador (por ejemplo, un PIC 16F877A, 16F1827, 18F4550, etc. de la empresa Microchip).
Como parte de un conversor ADC
Otra aplicación es enviar información de manera analógica. Es útil para comunicarse de forma analógica con sistemas digitales.
Para un sistema digital, es relativamente fácil medir cuanto dura una onda cuadrada. Sin embargo, si no se tiene un conversor analógico digital no se
puede obtener información de un valor analógico, ya que sólo se puede detectar si hay una determinada tensión, 0 o 5 voltios por ejemplo (valores
digitales de 0 y 1), con una cierta tolerancia, pero no puede medirse un valor analógico. Sin embargo, el PWM en conjunción con un oscilador digital, un
contador y una puerta AND como puerta de paso, podrían fácilmente implementar un ADC..

Nombre del alumno Fecha de entrega Página 8