Filière : SMP Semestre 4 Année Universitaire : 2020/2021

NOM PRENOM Groupe de TP

MOUSTARHFIR ZINEB
A4/2
MIKAOUI MERYEM
A4/2
MOURCHAD DOHA
A4/2
MESKY IKRAM
A4/2

Travaux pratiques-Electronique de
base
Partie I : Etude statique d’un transistor bipolaire
Objectifs de TP :

Etude statique d’un transistor bipolaire

Soit le montage :
Le montage suivant permet de :
D'amplifier un signal, et de commander des actionneurs requérant de la
puissance (haut-parleurs moteurs, etc ) avec des signaux de faible niveau
issus de capteurs (microphone, etc)

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Matériel utilisé:
Désignation Valeur/Référence Quantité
Alimentation 2
Transistor bipolaire O2N2219 1
R1 20 KΩ 1
R2 Résistance variable en décade 1
RC 100 Ω 1
RE 220 Ω 1

I. Mode opératoire :
a) on fixe tout d'abord VCE = Cte en utilisant VCC, on fait varier Ib à l’aide de la résistance
variable R et l'on note les valeurs correspondantes de IC et VBE dans le tableau 1. On peut
refaire la même opération pour différentes valeurs de VCE.
b) on fixe IB = Cte, on fait varier VCE et l'on note les différentes valeurs que prend IC on
refait la même opération pour différentes valeurs de IB (Voir tableaux ci-dessous).
II. Mesures
a) La tension du collecteur VCE du transistor étant maintenue constante est égale à 5 V,
on mesure le courant de collecteur IC et le courant de base IC en fonction de la
tension de base VBE. Les résultats sont les suivants :
Vce = 5 V
R (Ω) 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000
VBE (mV) 0,12 0,23 0,35 0,45 0,55 0,59 0,61 0,62 0,63 0,64
Ic (mA) 0 0 0 0 0,03 0,25 0,58 0,82 1,2 1,6
Ib (µA) 0 0 0,1 0,27 0,88 2,5 4,7 7,1 9,2 11,3

- Tracer la caractéristique de IC en fonction de IB (IC = f(IB)). En déduire le gain β du

transistor.

β = 141,5929

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b) En ajustant le potentiomètre P pour maintenir le courant de base IB =20 µA

et IB =40 µA, Pour chaque valeur de VCE, on a mesuré la valeur du courant IC
correspondant. Les résultats de mesures sont reportés sur le tableau suivant :
IB = 20 µA
VCE (V) 0,4 1 2 3 4 5 6 8 10 12 13 14
IC (mA) 1,76 1,96 2,2 2,37 2,63 2,88 3,02 3,59 4,2 4,5 4,7 5

IB = 40 µA
VCE (V) 0,4 1 2 3 4 5 6 8 10 12 13 14
Ic (mA) 3,5 3,9 4,4 4,8 5,2 5,8 6,2 7,2 8,29 9,22 9,8 10,2
- Tracer la caractéristique IC en fonction de VCE (IC = f(VCE)) et la droite de charge et interpréter
le graphe.
Consignes pour Tracer des courbes :
A partir des tableaux de mesures, nous pouvons tracer trois séries de courbes qui vont
former le réseau de caractéristiques du transistor. Pour ce faire, on trace à l'échelle sur un
papier millimétré les coordonnées des différentes valeurs mesurées et l'on relie ensuite les
différents points entre eux.
Ces différentes courbes portent des noms bien précis correspondant à la caractéristique
qu'elles représentent. On distingue ainsi :
- La caractéristique de transfert en courant Ic =f(IB).
- La caractéristique d'entrée IC =f(VBE).
- La caractéristique de sortie IC = f(VCE).

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III. Exploitation des caractéristiques du transistor bipolaire

a) Pour VCC = 10 V, en utilisant le montage de la figure 2, trouver la relation liant V CE,

RC, RE, IC et VCC (on suppose que IC = IE), Montrer que cette équation s‘écrit : IC = a
VCE + b et donner les valeurs numérique de a et b.

D’après la loi des mailles : ………………………………………………………………

Vcc _ Rc.Ic _ VcE _ RE.IE = 0
On suppose que IC = IE Vcc _ Rc.Ic _ VcE _ RE.Ic = 0
Vcc _ VcE = Rc.Ic + RE.Ic
Vcc _ VcE = (Rc + RE)Ic
𝐕𝐜𝐜 _ 𝐕𝐜𝐄 𝐕𝐜𝐄 𝐕𝐜𝐜
𝐈𝐜 = =− +
𝐑𝐜 + 𝐑𝐄 𝐑𝐜 + 𝐑𝐄 𝐑𝐜 + 𝐑𝐄
−𝟏 𝐕𝐜𝐜
𝒂 = 𝐑𝐜 + 𝐑𝐄 𝒃 = 𝐑𝐜 + 𝐑𝐄

b) L’équation IC = a VCE + b représente une droite qui s’appelle la droite de charge

statique du transistor.
- Tracer cette droite sur le réseau obtenu en II. a et II. b.
c) Déterminer alors le point de fonctionnement (IC ; VCE) du transistor pour IB = 20 µA.

f ( 4 mA ; 9,1 V )
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Partie II : Etude dynamique d’un transistor bipolaire

Objectifs de TP :

Etude dynamique d’un transistor bipolaire

……………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………….
Le montage de la figure 3 correspond à

Un transistor bipolaire permet de détermination du gain de

tension, gain de courant, l’impédance d’entrée et l’impédance
de sortie .

.……………………………………………………………………………………………………

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Matériel utilisé:
Désignation Valeur/Référence Quantité
Alimentation 1
Un GBF générant un signal 1
sinusoïdal de fréquence
F=1KHz
Transistor bipolaire O2N2219 1
Rg 1 KΩ 1
R1 20 KΩ 1
R2 4. 7 KΩ 1
RC 750 Ω 1
RE 1 KΩ 1
RL 100 KΩ 1
C1 10 µF 1
C2 10 µF 1
Ce 100 µF 1

Partie théorique :
- Représenter le schéma équivalent dynamique petits signaux du montage

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- Déterminer l’expression du gain en tension AV en fonction de V1 et V2.

……………………………………………………………………………………………………

𝐕𝟐
𝐀𝐯 =
𝐕𝟏
…………………………………………………………………………………………………...
- Déterminer de l’impédance d’entrée ZI en fonction de eg, V1 et Rg.

𝐕𝟏. 𝐑𝐠
𝐙𝟏 =
𝐞𝐠
…………………………………………………………………………………………………...
- Déterminer de l’impédance de sortie ZO en fonction de V0, V2 et RL.

𝑽𝟐. 𝐑𝐋
𝐙𝐎 =
𝐕𝟎
…………………………………………………………………………………………………...
- Déterminer l’expression du gain en courant AI en fonction de eg, V1 , V2, Rg et RL.

𝐕𝟐. 𝐑𝐠
𝐀𝐈 =
𝐕𝟏. 𝐑𝐋. 𝐞𝐠

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Partie expérimentale :
Le résultat pratique du montage (Figure 3) est illustré par la courbe de la Figure 4. Où les
tensions V1(t) et V2(t) sont simultanément visualisées sur l’oscilloscope, respectivement sur
les voies A et B.

- Observer et relever les tensions d’entrée et de sortie à l’oscilloscope (voir Figure 4).
…………………………………………………………………………………………………

Tension d’entrée : Ve = V1 = 2,5 V

Tension de sortie : Vs = V2 = 3 V

Indication :
Observer que les sensibilités (sensibilité en V/div) (sensibilité en ms/div) soient bien en
positions calibrées.

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- Déterminer le gain en tension pratique du montage.

𝐕𝟐 𝟑
𝐀𝐯 = = = 𝟏, 𝟐
𝐕𝟏 𝟐,𝟓
……………………………………………………………………………………………………
- Quelle est la nature de ce montage

Montage émetteur-commun.
…………………………………………………………………………………………………….
……………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………….

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