Faculté des sciences

Département de physique filière SMP5

El Jadida

m
Travaux dirigés d’électronique :
Amplification par transistor bipolaire

o
Exercice1 : MONTAGE EC AVEC RESISTANCE D’EMETTEUR NON DECOUPLEE
Le schéma d'un étage amplificateur à transistor monté en émetteur commun avec résistance d’émetteur
non découplée , alimenté sous une tension d'alimentation VCC de 20V, est donné en figure 1 .Il utilise, à T = 25

o.c
°C, un transistor NPN au silicium tel que :
IC repos = 6.5 mA , IB repos=68 µA et VCE repos= 6 V.

pr
ri-
ka

Figure 1

1. Déterminer les paramètres rbe et  du transistor

2. Dessiner le schéma équivalent du montage complet pour les petites variations imposées par le générateur
ab

d'attaque sinusoïdal (eg, Rg ). Les capacités de liaisons C1 et C2 ont une impédance négligeable à la fréquence
de travail. Choisir le schéma en “ß ib” pour simuler le transistor.
3. Calculer la valeur des paramètres du transistor autour de son point de repos : rbe, gm et rce.
4. Déterminer la résistance d'entrée Re du montage vue par le générateur d'attaque (eg, Rg).
On rappelle que Re = ve / ig où ig représente le courant variable imposé par eg.
al3

5. Chercher l'expression et calculer le gain en tension en charge : Av = vs /ve.

6. Chercher l'expression et calculer la résistance de sortie Rs du montage vue par la résistance Ru.

Exercice 2

On considère le montage amplificateur donné en figure 2.a. Ce montage utilise un transistor NPN T1 au
silicium à T = 25°C, alimenté sous une tension continue VCC de 15 V. Le transistor possède un gain en courant 
de 250 et sa résistance rce est considérée comme infinie. Dans l’émetteur de T1, on a disposé un

1
potentiomètre tel que seule la portion RE1 (0 1) de sa résistance totale RE1 soit découplée à la masse par le
condensateur Cd de valeur suffisante.

o m
o.c
Figure 2.a

1. Dessiner le schéma du montage en régime continu. Sachant que le courant de repos de collecteur est tel que :
IC1 repos = 5 mA, déterminer : pr
a. La valeur à donner à la résistance de polarisation R1. On prendra VB1E1=0.6V
b. La résistance d’entrée rbe et la transconductance gm du transistor.
2. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du montage complet
sachant que toutes les capacités ont alors une impédance faible. Choisir une représentation en « gmvbe » pour
ri-
le transistor. Dans la suite on prendra ib négligeable devant gmvbe
3. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re1 du montage vue par le générateur d’excitation (eg,Rg).
Entre quelles valeurs limites varie Re1.
4. Déterminer l’expression du gain en tension A1 = vs1/ve. Quelles sont les valeurs limites de A1.
ka

5. Montrer que la résistance de sortie Rs1 du montage vue entre le collecteur C1 de T1 et la masse est égale à
RC1.
Afin d’améliorer les performances de l’ampli, on décide d’ajouter un étage en utilisant un transistor T 2 identique
à T1 comme indiqué en figure 2.b. La base de T2 est reliée au collecteur de T1. Aussi le courant de base de T2
peut être considéré comme négligeable et la tension VB2E2=0.6V.
6. Sachant que RE2 = 1 kΩ, en déduire la valeur du courant de repos IC2 de T2.
ab

7. En déterminant l’impédance d’entrée Re2 du 2ème étage, montrer que le gain en tension du premier étage est
peu influencé par la présence du deuxième étage.
al3

Figure 2.b

2
 8. Que devient le gain en tension A du montage complet ?
9. Sachant que la sortie vs1 du premier étage est représentée sous la forme de Thévenin (eg1, Rg1), on se propose
de calculer la résistance de sortie Rs du montage complet vue entre E2 et la masse.
a. Donner la valeur de eg1et Rg1.
b. Calculer Rs et faire l’application numérique.

m
Solution Ex2 :

1. Schéma du montage en continu :

o
o.c
a. R1 = 670 k
pr
I co VT
gm  rbe   =1.25 K
ri-
b. =0.2 S
VT I co
2. schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du montage :

ib1
ka

gm1vbe1
vbe1
ab

3. Résistance d’entrée Re1 = ve/ig .

al3

Soit donc : Re1 = R1//(ve/ib1)

Sachant que : ve = vbe1+gm1(1-)RE1vbe1 (on néglige ib1 devant gmvbe1 )
Et ib1= vbe1/rbe1
Il vient alors : ve/ib1= rbe1(1+ (1-) gm1 RE1)

3
Soit donc Re1= R1//[rbe1(1+ (1-) gm1 RE1)]
Pour =0 Re1 48 K
Pour =1 Re1 1,25 K
4. Expression du gain en tension :

m
vs1=-gm1vbe1RC1 et ve = vbe1+gm1(1-)RE1vbe1

g m 1R C1
d’où : A1  

o
1  g m 1(1 -  )R E1

Le gain en tension varie de –360 ( = 1) à – 8,78 (= 0).

o.c
5. Résistance de sortie :
Méthode de l’ohmmètre : annuler eg et placer à la sortie un générateur (u,i).

gm1vbe1
vbe1
pr
ri-
Dans la maille d’entrée on a : (R1//Rg)(vbe1/rbe1) +vbe1+(1-)gm1RE1vbe1=0,dont la solution est vbe1=0 ;
avec comme conséquence gm1vbe1=0.
u
Par conséquent : RS1   RC1
ka

i
6. courant de repos IC2 de T2 :
La liaison entre T1 et T2 est directe. La tension VC1M étant de 6V,
VE2M = VC1M- VBE2 = 5.4 V.
ab

Alors : IC2 = 5,4 mA.

7. En régime de variations, le premier étage est chargé par la résistance d’entrée Re2 du deuxième
étage dont le schéma aux variations est le suivant :
al3

gm2vbe2

4
Re2= rbe2(1+ gm2RE2)
Avec gm2 = 0.216 S et rbe2= 1,157 K
Soit Re2  251 K
g m 1(R C1 // Re 2 ) g m 1R C1

m
Le gain du premier étage devient alors : A1   
1  g m 1(1 -  )R E1 1  g m 1(1 -  )R E1

Car Re2>>RC1le gain du premier étage n’est pas modifié.

o
8. Gain total du montage : Gain du montage complet : A = A1.A2

o.c
Vs 2 g m 2 RE 2
Avec A2    0,995
Vs1 1  g m 2 RE 2

Le gain total est pratiquement égal à A1.

9.
pr
a. Le générateur de Thévenin eg1 équivalent à la sortie du premier étage est égal à la tension de
sortie à vide de cet étage à savoir (eg1 = A1.ve). Sa résistance interne Rg1 est la résistance de sortie
de cet étage soit RC1.

b. Résistance de sortie RS2 :

ri-
Pour obtenir la résistance de sortie du montage complet on utilise la méthode de l’ohmmètre qui
consiste d’une part à annuler eg (ce qui annule le générateur lié eg1) et d’autre part de placer en
sortie du 2° étage un générateur (u, i). Le schéma du montage est alors le suivant :
ka

gm2vbe2
ab

u
Rs2= RE2//(- )
g m 2vbe 2
al3

vbe 2 R r
Avec u=-(RC1+rbe2) soit alors RS2= RE2//[(RC1+rbe2)/gm2rbe2]= RE2//( C1 be2 )
rbe 2 
AN : Rs =11,7

5
Exercice3 : MONTAGE AMPLIFICATEUR EN EMETTEUR COMMUN “BOOTSTRAP”

Le schéma du montage à étudier est donné en figure 3. Il utilise un transistor NPN à 25 °C dont les paramètres
sont les suivants :

β = 500, VBE = 0.6 V, ICrepos = 2 mA et résistance rce infinie

o m
o.c
pr Figure 3

1° PARTIE : On suppose que l’interrupteur K est ouvert.

ri-
1. Sachant que dans le domaine des fréquences de travail, tous les condensateurs sont des courts circuits,
dessiner le schéma équivalent au montage complet, aux petites variations et aux fréquences moyennes. On
choisit de représenter le transistor par son modèle en “β ib”
2. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re vue par le générateur d’attaque (eg, Rg).
Ne pas oublier de donner le schéma d’analyse. Faire l’application numérique.
ka

2° PARTIE : On suppose que l’interrupteur K est fermé.

Le condensateur “bootstrap” C2 va ramener, en régime de variations, le pont de polarisation R1 /R2
dans le circuit d’émetteur du transistor. Cette technique va entraîner une augmentation de la
résistance d’entrée du montage.
ab

3. Sachant que dans le domaine des fréquences de travail, tous les condensateurs sont des courts circuits,
dessiner le schéma équivalent au montage complet, aux petites variations et aux fréquences moyennes.
Représentez le transistor par son modèle en “gm vbe”.
On appelle r la résistance équivalente située entre base et émetteur du transistor et Réq celle qui se
trouve entre collecteur et masse et R’E entre émetteur et masse.
4. Calculer l’expression du gain en tension du montage : Faire l’application numérique.
al3

5. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re vue par le générateur d’attaque (eg, Rg). Faire
l’application numérique.
6. Déterminer l’expression de la résistance de sortie Rs du montage vue par la résistance Ru.

6
Solution Ex3 :

K est ouvert. Schéma équivalent au montage complet :

o m
o.c
2 : Résistance d’entrée Re vue par le générateur d’attaque (eg, Rg).

Soit Re = 33,7 k
pr
3 : K est fermé. Schéma équivalent au montage complet :
ri-
ka

R’E = R1 //R3//RE Req = Rc //Ru

4 : Gain en tension du montage :

ab
al3

5 : Résistance d’entrée Re vue par le générateur d’attaque (eg, Rg).

7
Intérêt du montage : permet d’augmenter de façon significative la résistance d’entrée (33kΩ à
147kΩ) en plaçant une partie du circuit de polarisation en parallèle avec R E. En effet, toute

m
résistance entre E et masse est vue de la base, sensiblement multipliée par le gain en courant β du
transistor. En outre le gain en tension est peu affecté.

6 : Résistance de sortie Rs du montage vue par la résistance Ru. Méthode de « l’ohmmètre » : ne pas
oublier de court-circuiter eg et d’enlever la résistance Ru. Le schéma est alors le suivant :

o
o.c
pr
R’E = R1 //R3//RE
ri-
En écrivant l’équation de la maille d’entrée on obtient la relation

Donc la tension de commande vbe est nulle.

ka

Le générateur dépendant (gm.vbe) est aussi nul. Dans ces conditions : Rs = RC.

Exercice 4 :

On veut réaliser un amplificateur suivant le schéma de la figure4, utilisant deux transistors rigoureusement
ab

complémentaires. Le transistor T2 avec la résistance R2 associée sert de “charge active” au transistor

amplificateur T1. Les caractéristiques des transistors T1 (PNP) et T2 (le NPN complémentaire) sont telles
que :=100, V BE = 0.6 V et rce très élevée sera négligée.
al3

8
 o m
o.c
Figure 4
1ère PARTIE : ETUDE DE LA POLARISATION
1. Dessiner le schéma qui permet de décrire le fonctionnement du montage en courant continu
2. On veut alimenter chaque transistor sous une tension |VCE| = 10 V. Déterminer les valeurs des tensions de
tous les noeuds par rapport à la masse.

collecteur de 5 mA.
pr
3. Déterminer les valeurs à donner aux résistances R1 et R2 pour obtenir dans chaque transistor, un courant de

4. Déterminer les paramètres gm et rbe des transistors autour de leur point de repos.
2ère PARTIE : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR A VIDE (K ouvert)
ri-
On suppose que les condensateurs C1 et C2 ont des valeurs suffisantes pour que leur impédance soit négligeable
à la fréquence d’utilisation du montage.
5. Compte tenu de ces hypothèses, dessiner le schéma aux petites variations équivalent à la charge active
constituée par T2 et R2 (partie encadrée du schéma).
6. Déterminer alors la valeur de la résistance R équivalente à la charge active. Il s’agit de la résistance d’entrée
ka

de ce montage vue entre le collecteur C1 et la masse.

7. En déduire et dessiner le schéma aux petites variations équivalent à l’ensemble du montage.
8. Calculer le gain en tension AV0= vs/ ve du montage.
9. Calculer en fonction du gain AV0, la résistance d’entrée Re du montage, telle que la voit le générateur (eg, Rg)
entre les points B1 et M.
ab

10. Calculer la résistance de sortie du montage.

3ère PARTIE : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR CHARGE PAR RU = 1 KΩ
La présence de l’utilisation Ru modifie le gain en tension et la résistance d’entrée.
11. Calculer le nouveau gain en tension AV=vs/ve et la nouvelle résistance d’entrée du montage.
12. Calculer le gain en puissance du montage et l’exprimer en décibels.
al3

13. A l’aide des résultats de la deuxième partie, dessiner l’ensemble de l’amplificateur sous une forme
simplifiée utilisant deux générateurs de Thévenin :
• à l’entrée : le générateur d’attaque (eg, Rg)
• à la sortie : le générateur équivalent au montage vu de l’utilisation (force électromotrice K.eg,
de résistance interne R)
Indiquer la valeur de chaque élément. Application numérique

9
Solution Ex4 :

1) et 2)

om
o.c
3. IB1 = 50 AR1 = 188 kR2 =188 k

4. gm = 0,2 mS , rbe = 500


pr
ri-
ka

6. L’équation au noeud C2 donne :

ab

7.
al3

10
 o m
8. L’équation au noeud C1 :

o.c
v s v be1  v s
g m v be1   
R R1

pr
9. La résistance d’entrée peut s’exprimer en fonction du gain en tension précédent :

10. Méthode de “l’ohmmètre” :

ri-
ka
ab
al3

11. Ru vient en parallèle avec R. Nouveau gain en tension :

11
12.

m
13.

o
o.c
pr
ri-
Exercice5 :
La figure 5 représente un montage amplificateur à deux étages qui utilise à 25 °C, deux transistors T 1 et T2 tels
que :
  = 2 = 100, VCC=20V et VBE = 0.6 V ;
ka

 les résistances internes rce1 et rce2, élevées seront négligées.

Etage T1 Etage T2
1,2 K
13,2 K
ab 50 

470 

6,8 K
al3

Figure 5

1. Quel est le type de montage de chaque transistor ?

12
2. Le courant de repos (en régime continu) du transistor T1 est fixé à IC1repos = 5 mA. En déduire la valeur du
courant de repos de collecteur IC2 du transistor T2. Calculer alors gm et rbe pour chaque transistor.
3. On choisit un courant de pont IP = 20 IB1 (IP circule dans R1 et IB1 sera négligeable devant IP), Calculer les
valeurs à donner aux résistances de polarisation R1 et R2.
4. Dessiner le schéma équivalent au montage complet aux petites variations et aux fréquences moyennes sachant

m
que les impédances associées aux condensateurs sont négligeables. On utilisera pour les transistors la
représentation «gmvbe».
vs 2
5. Déterminer les expressions de la résistance d'entrée Re2 et du gain en tension A 2  de l’étage T2 vue
v s1

o
par T1 entre son collecteur C1 et la masse. Faire l’application numérique.
v s1
6. Compte tenu de la question précédente, déterminer le gain en tension A 1  du premier étage ainsi que sa
ve

o.c
résistance d’entrée Re1. Faire l’application numérique. En déduire le gain en tension A et la résistance
d’entrée Re du montage complet.
7. Déterminer la résistance de sortie du montage complet.
8. En tenant compte des capacités de liaisons et des paramètres caractéristiques du montage complet (déjà
déterminées précédemment), représenter le schéma de thevenin équivalent au montage. Discuter l’influence
des capacités de liaison sur le gain en tension en très basses fréquences. Pour quelle valeur de C L1, le gain en
tension A subit une diminution de 3dB à f =100Hz
pr
Solution Ex5 :

1. T1 est en montage émetteur commun et T2 est en base commune.

ri-
2. IE2=IC1 et IE2=IC2 soit IC1=IC2
Les courants collecteurs sont identiques pour T1 et T2 par conséquent gm1=gm2= gm=Ic/VT
Les béta sont également identiques donc les rbe sont identiques : rbe1=rbe2=rbe=/gm
A.N : gm=0,2S et rbe= 500
ka

3. Résistance de pont R1 et R2
Vcc
Ip>> IB soit R1+R2= et R2IP= REIC+ VBE
20 I B
ab

A.N : R1= 17 k R2= 3 k

4. schéma équivalent en régime de variation :

En dynamique, les capacités de liaison et de découplage sont équivalentes à des courts circuits. En
conséquence les résistances R3 et R4 sont court circuitées par CD.
al3

13
 m
5. Résistance d’entrée et gain en tension du deuxième étage :

o
v s1 v s1
Re 2   rbe 2 //( ) et vs1=-vbe2

o.c
i g m 2 vbe 2

1 1
Re 2  rbe 2 //  (Car rbe >> gm-1)
g m2 g m2

A2= gm2 RC

A.N : Re2= 5  A2= 240 pr

6. gain en tension et résistance d’entrée de T1 chargé par T2 :
ri-
ka

vs1= -gm1vbe1Re2 et ve = vbe1+ RE( gm1vbe1 + vbe1/rbe1), gm1>> (1/rbe1)

g m1 Re 2
ab

Soit donc : A1  
1  g m1 R E

Re1= (R1//R2)//(ve/ib1) avec ib1= vbe1/rbe1

Re1=[R1//R2// rbe1( 1+gm1RE)]

al3

A.N: A1= - 0,01, Re1= 35.9 k  36 k

Le gain du montage entier c :

A=A1.A2= -2.4 et sa résistance d’entrée est Re= Re1

7. Résistance de sortie du montage complet : méthode de l’ohmmètre :

14
 On cherche RS= (vs/is) lorsque eg =0

o m
o.c
Dans la maille 1 on a : [(Rg//R1//R2)+ rbe1](vbe1/rbe1)+RE[gm1vbe1 +( vbe1/rbe1)]=0
Dont la solution est vbe1=0.

on a :
[(Rg//R1//R2)+ rbe1](vbe1/rbe1)+RE[gm1vbe1 +( vbe1/rbe1)]=0
Dont la solution est vbe1=0.
Par conséquent gm1vbe1=0
pr
Or gm1vbe1 = gm2vbe2 + ( vbe2/rbe2)=0 , la solution est vbe2=0v
En consequence: Rs= (vs/is) = RC= 1,2 k
ri-
8. Schéma équivalent de thevenin:
en tenant compte de Re, A et Rs, le schéma de thevenin équivalent au montage est :
ka

A.ve

Le montage étant non chargé, donc CL2 n’influence pas sur la réponse en fréquence. Seule donc CL1
ab

introduit un affaiblissement par le filtre passe haut (Re, CL1) dont la fréquence de coupure à -3dB est
donnée par :
1
fcb 
2Re C L1
al3

fcb= 100 Hz conduit à une valeur de capacité de : CL1  44 nF

Exercice6 : ASSOCIATION EMETTEUR COMMUN-COLLECTEUR COMMUN

On considère le montage amplificateur de la figure 6 qui utilise à 25 °C, deux transistors : T1 et T2 (NPN) tels
que : β1 = 200, β2 =100 et les résistances internes rce élevées, seront négligées.

15
 o m
o.c
Figure 6

1. Les courants de repos de collecteur des transistors T1 et T2 sont respectivement : IC1 = 1.7 mA et IC2 = 2 mA.
a. En négligeant les courants de base, indiquer sur le schéma la valeur des tensions remarquable par
rapport à la masse.
pr
b. En déduire la valeur à donner aux résistances R et R1.
On étudie maintenant les performances du montage en régime sinusoïdal petites variations et
fréquences moyennes. Au lieu de dessiner le schéma équivalent du montage complet, il est plus
pratique de procéder par étapes, c’est-à-dire d’analyser chaque étage séparément.
2. Dessiner uniquement le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes de l’étage T2.
ri-
3. Calculer l’expression de la résistance d’entrée Re2 de l’étage T2 ainsi que son gain en tension. Faire les
applications numériques.
4. Compte tenu de la question précédente, en utilisant la résistance Re2, dessiner le schéma équivalent aux petites
variations et aux fréquences moyennes de l’étage T1.
5. Déterminer l’expression du gain en tension du 1° étage. Faire l’application numérique.
ka

6. Donner l’expression et calculer la résistance de sortie Rs du montage complet. Faire le schéma qui permet de
déterminer Rs.

Exercice 7: ANALYSE D’UN AMPLIFICATEUR POUR ANTENNE DE TELEVISION

ab

On se propose d’analyser un montage destiné à amplifier le signal fourni par une antenne de
télévision (fréquence de l’ordre de 500 MHz). En effet, cette antenne est située dans une région trop
éloignée de l’émetteur pour obtenir une réception de l’image et du son dans de bonnes conditions.
Aussi, l’amplificateur proposé permettra de palier à cet inconvénient. Le signal délivré par l’antenne,
véhiculé par un câble blindé, est assimilable à un générateur sinusoïdal indépendant eg de résistance
interne Rg de 75.
al3

PARTIE 1 : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR

Le schéma complet du montage amplificateur est donné en figure 7. La tension d'alimentation est
fixée à VCC = 5V et la température de fonctionnement est de 25 °C. Les deux transistors NPN sont
identiques avec un gain en courant β = 200. On négligera leur résistance dynamique rce.
A – ETUDE DE LA POLARISATION
1. Dessiner le schéma d’étude en régime continu.
2. Montrer que la tension VC1E1 du transistor T1 est sensiblement de1,2V.

16
3. On supposera que les courants de base de T1 et T2 sont suffisamment faibles pour êtres négligés devant les
courants de collecteur. En déduire la valeur du courant de repos IC1 du transistor T1.
4. Calculer la valeur des tensions VE1M, VE2M et VC1M qui seront reportées sur le schéma précédent. En déduire
la valeur du courant de repos IC2 du transistor T2. Calculer la valeur du potentiel VC2M.

o m
o.c
Figure 7 : schéma de l’amplificateur.
pr
B – ETUDE DYNAMIQUE AUX PETITES VARIATIONS
On supposera qu’aux fréquences de fonctionnement du montage, les condensateurs sont
équivalents à des courts-circuits. Le gain en courant  des transistors est fixé à 200.
ri-
1. Déterminer le type de montage amplificateur relatif à chaque transistor. Que peut-on dire du signe
du gain du montage complet ?
2. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations du montage complet. On utilisera le schéma en
« gm1 vbe1 » pour T1 et « gm2 vbe2 » pour T2. On rappelle que les résistances rce1 et rce2 sont
négligeables. Il est conseillé de faire et de nommer des regroupements de résistances.
ka

3. Calculer les paramètres dynamiques petits signaux de chaque transistor :

ab

4. Déterminer l’expression du gain en tension de l’amplificateur : Av = vs/ve. Faire l’A.N.

5. En déduire la valeur du gain en tension à vide AVo.
6. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re du montage vue par le générateur d’excitation
eg, Rg. Faire l’A.N.
7. Déterminer l’expression de la résistance de sortie RS vue par la résistance d’utilisation RU et faire
al3

l’A.N.

Solution Ex 7 :

17
A. Etude en statique

1. schéma en continu

o m
o.c
2. Tension VCE1 de T1
VC1E1= VC1B1+ VB1E1=VB2E2+VB1E1
Comme en fonctionnement normal VBE  0.6V alors VC1E1=1.2 V
3. Courant collecteur IC1 ? pr
En négligeant le courant dans la branche C1B2, il vient :
VCC  VC1E1
I C1  soit IC=0.41 mA
R E1  RC1
ri-
4. VE1M= 1.93 V, VE2M=VE1M+VB1E1=2.53 V et VC1M=VE1M+ VC1E1=3.13 V
V
IC2= E 2 M soit IC2=1.40 mA et VC2M=VCC- RC2 IC2= 4.90 V
ka

RE 2
Toute la chute de tension est sur le transistor c normal car RC2 est faible

B. Etude en dynamique :
1. Type de montage :
ab

T1 en base commune, T2 en émetteur commun

2 . Schéma équivalent :

ie E1 C1 C2
B2
al3

Rg gm1vbe1
gm2vbe2

RE1 rbe1 RC2//Ru

vbe2

ve vbe1 RC1 vs
rbe2
eg

B1 E2

2. Paramètres dynamiques

18
 I co VT
gm  rbe  
VT I co
Transistor T1 0.016-1 12.2k
Transistor T2 0.056 -1
3.6 k

m
3. gain en tension :
vs= -(Rc2//Ru) gm2vbe2

o
vbe2=-gm1vbe1(rbe2//RC1)
et vbe1=-ve

o.c
vs
D’où   g m1 g m2 (rbe2 // RC1 )( RC 2 // RU ) AN AV= -791
ve
4. Gain en tension à vide :
A vide il faut faire ru infinie d’où Avo=-gm1gm2rbe2RC
Avo =-1582
5. résistance d’entrée Re :

Re= RE1//rbe1//(
vbe1
pr 1
) soit Re = RE1//rbe1// g m
g m vbe1
ri-
AN Re= 212
6. Résistance de sortie Rs :

is
B2
ka

Rg gm1vbe1
gm2vbe2

RE1 rbe1 vbe2 vs

ve vbe1 RC2
rbe2 RC1
ab

vbe1
A l’entrée on a vbe1= rbe1( gm1vbe1 + )
Rg // RE1
rbe1
al3

Soit vbe1(1- gm1rbe1 - )= 0 le terme entre ( ) n’est nécessairement pas nul, par
Rg // RE1
conséquent vbe1=0 , implique la source gm1vbe1 n’existe pas et donc vbe2=0, il en résulte que la
source gm2vbe2 n’existe pas . La résistance vue depuis la charge RU est alors : Rs = RC=75

19
Exercice 8:

Un amplificateur symétrique est constitué par deux transistors bipolaire T1 et T2 montés selon le
schéma de la figure 8 et supposés parfaitement identiques. Les deux transistors possèdent le même
point de fonctionnement. L’amplificateur est alimenté par une source de tension sinusoïdale et les
condensateurs se comportent comme des courts circuits à la fréquence d’utilisation.

m
On donne : VCC =12 V, REIE = 0,2 VCC, VCE = 4V, IC =12,5 mA , VBE =0,6 V et  =120
1/ Déterminer les résistances de polarisation des transistors. On supposera négligeable le courant de
base devant le courant collecteur.

o
VCC

o.c
RB RC RC RB
C3
C2
C1
T1 io v1 T2
vS
Rg= 75
ve
vo RE
pr CB
eg

Figure 8
2/ Les deux transistors sont représentés en dynamique par leur schéma équivalent en émetteur commun
ri-
avec les paramètres rbe et gm que l’on déterminera pour les besoins des applications numériques.
a. Dire le type de montage pour chaque transistor
b. Représenter le schéma équivalent en dynamique de tout l’amplificateur.
ka

vS v
3 / Pour le deuxième étage, déterminer le gain en tension A 'V2  et l’impédance d’entrée Ze2= o
vo io
4/ En utilisant l’impédance d’entrée Ze2 :
a. Représenter le schéma équivalent en dynamique du 1èr étage chargé par le deuxième étage
b. Déterminer l’impédance d’entrée Ze1 du premier étage.
ab

v1 vo
c. Exprimer, puis calculer les gains en tension du premier étage : A V1  et A 'V1 
ve ve
vS
d. En déduire le gain en tension de l’amplificateur A v  , le comparer à Av1.
ve
5/ Déterminer l’impédance de sortie de l’amplificateur complet
al3

6/ A l’aide des résultats précédents, dessiner l’ensemble de l’amplificateur sous une forme simplifiée
utilisant deux générateurs de Thevenin :
 à l’entrée : le générateur d’attaque (eg, Rg),
 à la sortie : le générateur équivalent au montage vu entre les deux points de sortie (force
électromotrice K.eg, résistance interne R)
Indiquer la valeur de chaque élément

20
Solution Ex8 :

1/ Résistances de polarisation :
REIE= 0,2VCC, En négligeant le courant de base il vient : RE 200 

m
VCC  VCE  2 RE I C
RC  soit : RC 450 
IC

o
VCC  VBE  2 RE I C
RB  . soit : RB 110 k

o.c
IC

2/ Paramètres dynamique : gm=0,5 S et rbe= 240 , identiques pour T1 et T2

a. Type de montage :
T1 est en collecteur commun
T2 est en base commune
b. Schéma équivalent en dynamique :
pr
vbe1
ri-
rbe
gmvbe1

gmvbe2
ve io
RB vo RE rbe vbe2 RC
Rg eg
RC
v1
ka

vs
3/ * Gain
en tension du deuxième étage :

vs  g m vbe2 RC
A' v 2   soit A’v2 = gmRC
ab

vo  vbe2
AN : A’v2 =225
* Impédance d’entrée :

vo  vo 
= RE//rbe//  
al3

Z’e2= avec vo = - vbe2

io   g m vbe 2 
Soit :
1 1
Z’e2= RE//rbe//  AN: Z’e2 = 2
gm gm

21
4/ a. Schéma équivalent du premier étage chargé par le deuxième étage:

vbe1

rbe

gmvbe1

m
ve
RB vo Ze2
eg
RC
v1

o
b. Impédance d’entrée Ze1 :

o.c
 ve  vbe1
Ze1=RB// 
 i  avec : ib1=
 b1  rbe1
 ve  vbe1
Ze1=RB//rbe1 
 v  avec ve= vbe1+Ze2gmvbe1
pr (on néglige le terme )
 be1  rbe1
Soit: Ze1= RB//rbe1 (1+gmZe2) AN: Ze1= 480 
c. Gains en tension du premier étage :
ri-
v1
* gain en tension en émetteur commun: Av1 
ve

 g m vbe1 RC
Av1 
vbe1  Z e 2 gmvbe1
ka

g m RC
soit : Av1  
1  gm Z e2
ab

AN: Av = -112,5
vo
 Gain en tension en collecteur commun : A' v1 
ve

1
al3

A' v1 
g m vbe1 Z e 2
vbe1  g m vbe1 Z e 2
soit : A'v1 
1
1
g m Z e2
AN : A’v1= 0,5

22
 d. Gain total: Av= A’v2. A’v1 Av=112,5
Av= Av1

m
u
5/ Impédance de sortie: Rs=
i eg 0
i

o
rbe
gmvbe1

gmvbe2
ve
Rg vo u

o.c
RE rbe
RB vbe2 RC
RC
v1

En négligeant les courants de base on a:

v  pr
gm RE ( vbe1+ vbe2) = vbe1 +Rg//RB.  be1 
 rbe 
g m RE
gm RE ( vbe1+ vbe2) = -vbe2 soit : vbe2   vbe1
1  g m RE
ri-
v  g m RE
d’ou vbe1 +Rg//RB.  be1  = vbe1
 rbe  1  g m R E
Par conséquent vbe1=0 ce qui implique également vbe2=0
ka

u
Dans ces conditions
i
 RC donc RS= RC
6/ Représentation de Thevenin:
ab

Rg RC
eg ve Ze1 Keg vs
al3

K.eg = Av. ve
ve Z e1
Soit : K= Av. = Av.
eg Rg  Z e1

AN: K= 97,3

23
 Exercie9 :
On considère le montage amplificateur de la figure 9.1. Au point de fonctionnement le transistor T1 est
caractérisé par : 1 =100, VBE1 = 0,7 V, IC1 = 2 mA et VB = 5,7 V;

m
VCC=20V

RP

o
C1 T1
B C2

o.c
Rg=50 ve RE vs
eg

Figure9.1

1/ Déterminer les valeurs des résistances de polarisation, de la transconductance gm1 et de rbe1.

pr
2/ Le transistor T1 est défini en dynamique par ses paramètres en émetteur commun r be1 et gm1 (rce
supposée infinie).
a. Représenter le schéma équivalent petits signaux basses fréquences du montage ;
b. Déterminer les gains en tension et en courant Av1 et Ai1, l’impédance d’entrée Ze1 et
ri-
l’impédance de sortie Zs1 ;
c.
3/ On modifie l’étage précédent selon le montage de la figure 9.2. Le transistor T2 est défini par ses
paramètres en émetteur commun tel que : rbe2 = 1k, 2 = 60 et rce2 supposée infinie; le transistor T1
ka

possède les paramètres déterminés à la question 1.

VCC=20V VCC=20
ab

C V
RP
C1 T
T2 RP
T1 C1
C2 T
Rg=50 C2
ve
al3

Rg=50
eg RE vs ve RE vs
eg
Figure9.2
 Figure9.3

24
a. Soit T le transistor équivalent à l’association de T2 et T1 tel que le montage de la figure 1.2 devient
celui de la figure 9.3. Déterminer les paramètres rbe et gm de T en fonction des paramètres de T1 et
T2 ;
b. Calculer l’impédance d’entrée Ze et l’amplification en tension Av .Quel est alors l’intérêt de ce

m
montage ;

Solution Ex 9 :

o
1/
 Valeurs des résistances de polarisation:
En continu, le montage devient :

o.c
VCC=20V

VB  VBE
RE  RP
IC T
B

RE= 2,5 K
RE

RP 
VCC  VB
IC
.
pr
RP= 715 K

 Paramètres dynamiques :
ri-
gm1= 0,08 S et rbe1= 1250 

2/ a. Schéma équivalent en dynamique :

ka

Type de montage : collecteur commun

vbe1
ie is
rbe1
Rg
gm1vbe1

ve RP RE vs
ab

eg

b.

*Gain en tension :
al3

Remarque : 1/rbe1=8.10-4S<< gm1= 8.10-2 S, par conséquent le courant dans rbe1 peut être négliger
devant gm1vbe1.
vs= gm1.RE.vbe1 et ve = gm1.RE.vbe1+ vbe1

vs g R
A   m1 E AV1= 0,9950
v1 ve 1  g R
m1 E

25
* Gain en courant :
vbe1 v e
is = - gm1vbe1 et ie   avec ve= gm1.RE1.vbe1+ vbe1
rbe1 RP

m
vbe1 vbe1 g m1 RE vbe1
ie   
rbe1 RP RP

g m1rbe1

o
d’où Ai   Ai = -74
r (1  g m1 RE )
1  be1
RP

o.c
* Impédance d’entrée Ze1 :
v   v  v
Z e1  RP // e   RP // rbe1  e .  avec : e  1  g m1 RE
 ib   vbe1  vbe1

Donc Z e1  RP // rbe1 .(1  g m1 RE ) Z e1  186 k

* Impédance de sortie : Z s1 
u
pr
i e g 0 et R u 
, méthode de l’Ohmmètre

vbe1 i
ri-
rbe1
gm1vbe1

Rg RP RE u
1

ka

u
i  g m1vbe1 (on néglige le courant ib devant gm1vbe1)
RE
ab

rbe1u
avec vbe1  
rbe1  Rg // RP

u g m1rbe1u
i 
RE rbe1  Rg // RP
al3

rbe1  Rg // RP rbe1  Rg
Zs = RE//  RE // car Rg<<RP Zs = 13 
g m1rbe1 g m1rbe1

3. paramètre du transistor équivalent :

vbe2 gm2vbe2
ib E2=B1 ic
B = B2 C
rbe2
26
gm1vbe1

vbe rbe1 vbe1

 m
Pour déterminer rbe et gm du transistor équivalent, on trace le schéma équivalent de l’association T2 et
T1 :

o
Il apparaît ainsi que :
vbe = vbe1 + vbe2= rbe1ib + rbe2ib2

o.c
ib2= ib1 + gm1vbe1= (1+ gm1rbe1)ib
soit : vbe = rbe1ib +rbe2(1 + gm1rbe1)ib

vbe
donc rbe   rbe1  rbe 2 (1  g m1rbe1 ) AN : rbe102 k
ib

ic = gm1vbe1 + gm2vbe2 (1)

pr
or Ic1= 1(1+2)Ib et Ic2=2ib
comme IC=IC1+IC2=[1(1+2)+ 2]ib alors le gain en courant du transistor équivalent est :
ri-
 = 1(1+2)+ 2 AN : = 6106
vbe
or ic = ib=[1(1+2)+ 2]ib et ib=
rbe
ka

d’où la transconductance du transistor équivalent est :

2  1 (1  2 )
gm 
ab

AN gm= 0,06 S
rbe1  rbe2 (1  g m1rbe1 )
 Pour le calcule de Ze et Av, on utilise les résultas de la deuxième question avec les paramètres de
T:

 Z e  RP // rbe .(1  g m RE ) AN Ze  683 k

al3

v g R
 A 
s

m E
AN Av  0,9934
v v 1 g R
e m E
L’intérêt de ce montage est donc d’augmenter l’impédance d’entrée

27
 al3
ab
ka

28
ri-
pr
o.c
om