DDR5在汽车上的那些事：初始化配置、仿真、可靠性一文全懂！（自动驾驶、域控制器必读指南）

LPDDR5x Initialization

2020年2月6日，美光科技宣布交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片，随后，三星S20系列和小米10系列手机先后发布，全新的LPDDR5内存成为两家的共同卖点之一，这也预示着DDR5的时代即将到来。今天我们就来聊一聊DDR5的发展过程，设计难题以及如何通过仿真来应对DDR5设计挑战。 本文主要目录： 01.DDR技术的发展历程 02.DDR5的出现，带来了哪些设计挑战？ 03.如何通过仿真及建模中的创新克服DDR5技术挑战 04.DDR5仿真解决方案 05.DDR5仿真实例 ...

【代码】【JESD79-5之】4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-36。

SDRAM初始化模块SDRAM初始化SDRAM为什么要进行初始化呢？初始化过程？ （这段时间期末考试，一直比较忙没有学习新的内容，忙完了考试今天来更新一下以前的老知识，顺便回忆一下），大家知道现在的DRAM家族已经有5代了包括SDRAM、DDR2、DDR3、DDR4以及DDR5种。下面就SDRAM为例带大家简单认识一下SDRAM的初始化、自刷新、读、写等功能的实现。 SDRAM初始化 本文以w9812g6kh-75芯片为例来对SDRAM初始化的一个过程进行一个简单的讲解。 SDRAM为什么要进行初始化呢？

介绍： DDR5，DDR4的继承者，已经被开发出来，当系统设计者感到在持续技术进步的增长压力时候，提供性能改进——现有内存带宽根本不能跟随内核数不断增长的新处理器模型。 DDR5是第五代双倍速率同步动态随机存储器，从DDR4到DDR5的功能增强是迄今为止最大的。前几代专注于降低功耗，以及由手机和数据中心驱动的应用，DDR5的主要驱动是更大带宽需求。 与DDR4相比，在相等的数据传输速率3200MT...

在验证DDR5系统的过程中，发现，与其他CA通道相比，CA1_B表现出了明显更差的眼图效果。这种差异在不同的数据速率中均可以一致地观察到，并且随着数据速率的提升，眼图差距变得更加明显，更重要的是，这种现象存在于每一个DIMM条中的CA1_B，这就不得不引起设计者的重点关注。

类别工具简介SI仿真模拟信号传输，分析眼图、串扰、反射PI仿真电源网络阻抗模型，验证去耦方案🔥小Tip：合理利用时域和频域分析双管齐下，发现潜在问题更彻底！别把仿真当成高不可攀的黑科技，扎实的工具使用和数据分析，才能让你的DDR5设计“跑得快又稳”！从小速率开始仿真，循序渐进搭建完整模型，避免遗漏关键影响因素多和板卡工程师、测试工程师沟通，形成闭环反馈。

问题场景发现症状优化措施过孔Stub效应TDR波形尖峰，信号反射严重使用盲孔，背钻减少Stub，降低Via数量串扰过大眼图闭合，误码率增加增加走线间距，插入地线隔离，减少平行长度电源阻抗过高PDN谐振导致纹波大多频率去耦，靠近电源引脚布置多档电容，合理分层信号时序失配优化走线长度匹配，避免信号走线跨层跳变DDR5设计不仅是硬件的挑战，更是仿真能力的考验。掌握SI/PI仿真，理解信号背后的物理本质，才能真正把握高速接口的“灵魂”！

因果性指的是一个系统的输出响应是否合理且符合物理规律，也就是输出不能早于输入。如果通道模型存在非因果响应（Non-Causal Response），那么该模型可能并不符合实际情况，会导致设计失真或错误。

第五个主要变化是突发长度。，可帮助设计人员充分利用 DDR5 的优势，同时应对更高数据、CA 和时钟速度带来的信号完整性挑战。考虑到更高的时钟和数据速率，您需要确保 PDN 能够处理以更高速度运行的负载，具有良好的信号完整性，并为 DIMM 提供良好的干净电源。包括 SPD Hub 和 TS 在内的扩展芯片组支持更智能的 DIMM，它可以在 DDR5 的更高数据速率下运行，同时保持在所需的功率和热范围内。因此，您不仅可以从 DDR5 的减速带中获益，更高的 MT/s 的优势还可以通过更高的效率得到放大。

虽然，三星在设计跟量产上，早于其他家存储产商，但是镁光后来居上了，是业界首家支持全速 LPDDR5 的供应商，并且开发者在做开发的时候，也是用美光颗粒比较多，所以这里就先以美光的仿真模型为主进行仿真。 本工程为美光官方工程，支持Modelsim、VCS、ncverilog三种仿真器仿真。模型破解过，为完整system-verilog代码。

探索DDR5信号完整性：基于IBIS-AMI模型的仿真分析 【下载地址】基于IBIS-AMI模型的DDR5仿真分析 基于IBIS-AMI模型的DDR5仿真分析 项目地址: https://gitcode.com/Open-sour...

对于今天的高密度和高速设计，如DDR5，来自同时切换输出（SSO）的同时切换噪声（SSN）是在数据中引起电压和时序抖动的关键因素。如果来自输出的开关电流的频率分量落在封装配电网（PDN）电感和片上去耦电容形成谐振峰值的频率范围内，则SSN影响是显著的。因此，我们需要准确的PDN模型来进行SSN仿真。常用的封装PDN模型是s参数模型或环路阻抗，它是基于回路的，不单独对电源和接地进行...

DDR；LRDDR5X；LPDDR5；DDR协议

[DRAM Test]Memory Initialization, Training and Calibration of DDR5