为什么顶层硅的厚度通常为220 nm?

绝缘体上硅（Silicon-on-Insulator, SOI）是一种先进的半导体技术，它通过在硅基底上形成一层绝缘层，再在其上生长一层硅薄膜，从而制造出具有独特电学特性的硅材料。

绝缘体上硅SOI的结构由三层组成：分别是硅衬底（Substrate）、绝缘埋层（Buried Oxide, BOX）以及顶层硅（Top Silicon）。

如下图所示：

注意，在某些类型的绝缘体上硅（SOI）技术中，为了隔离顶层硅的应力，更好的热绝缘以及更好的电气隔离性能，顶层硅也是被氧化物完全包围的，并且可以允许在波导上方进行金属互联。

其中：

• 硅衬底，有的地方也叫硅基底，它这是传统的硅晶片，是整个结构的基础，典型的8 inch的SOI晶圆其衬底的厚度为 725 μm。

• 绝缘埋层也称BOX，或者埋氧层。是在硅衬底上生长的一层薄的二氧化硅（SiO2）层，它作为绝缘层，将顶层硅与硅衬底隔离开来，厚度通常为2 μm。

• 顶导硅：再上一层的顶层硅在绝缘埋层上生长的一层薄硅层，也是是咱们实际进行电子器件制造的区域。它的厚度通常为220 nm，相对来说更薄一些。

厚度标注如下：

这里涉及到咱们的主题，即：为什么顶层硅的厚度通常为220 nm?

在1D波导中，如光纤通信的单模光纤，光主要沿着光纤的长度方向传播，模式要么是纯的TE模，要么是纯的TM模。而在2D波导中，如咱们的硅光子中平板波导，表现的并不是这么绝对，即不存在纯的TE模或者TM模。

什么是TE模和TM模？

TE模（Transverse Electric Mode）和TM模（Transverse Magnetic Mode）是电磁波在波导中传播时的两种基本模式，它们描述了电磁场在波导横截面上的分布特性。

无论是TE模还是TM模，它能否传输，都取决于在介质中的折射率。当折射率低于模式的有效折射率时，此模式将截止。

在波导中，为了避免模式色散的情况下，我们希望平板波导只传输单一模式。特别是对于大多数应用来说，具有最低的截止频率的的基模是最好的选择，它能够在平板波导中第一个建立和传播。

那我们怎样通过设计波导的尺寸和折射率分布来实现呢？

如下图所示是平板2D波导在1550nm波长下的有效折射率与平板波导厚度、TE/TM模传输的关系图：

当波导厚度小于240nm时，上图中的红色实线，平板波导以单TE模和TM模式工作。当厚度超过240nm时，会表现出三阶模。

而对于1310nm的平板波导，其有效折射率和波导厚度的关系如下图所示：

从图中可以看出，对于1310nm波长，单TE模式传输的厚度要求小于205nm。大于这个值时，上述四个模式都是有可能传输的。

因此，为了1550nm下的TE模和TM模式工作，SOI的顶层厚度通常选择为220nm。但是，当波导厚度大于220nm时，1310nm下的顶层硅并不能完全实现单模，还是会存在一些较弱的高阶模式。

不过只是在220nm厚度时，基模类TE模要比其他高阶模受到的限制更强烈更严格，因此当器件的顶层硅厚度为220nm时，1310nm波长下还是能工作的。

下图是波长为1550nm时，顶层硅厚度为220nm宽为500nm的条形波导（一种平板波导的变体，核心区被设计成窄条形状，两侧和底部被低折射率的包层包围）的基模场模拟分布图：其场和能量被严格限制在波导内容。

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