【DRAM存储器五十四】LPDDR5介绍--PHY简介和LPDDR5训练流程

### MTK 平台 LPDDR5 内存 8 相校准解决方案 #### 背景说明 在移动设备中，LPDDR5 内存在性能和功耗方面具有显著优势。然而，在多相位（如八相）校准时，由于复杂的信号路径与时序要求，可能会遇到挑战。对于联发科(MTK)平台而言，确保 LPDDR5 的稳定性和可靠性至关重要。 #### 校准流程概述 针对 MT68xx 系列 SoC 上的 LPDDR5 存储器初始化过程中的八个阶段训练机制，主要包括以下几个部分： - **电源管理单元 (PMU)** 配置：设置合适的电压电平以满足 DRAM 工作需求。 - **PHY 层配置**：调整物理接口参数来优化传输效率并减少噪声干扰；这一步骤涉及到对 DQS 和 CK 时钟树延迟链路的选择以及驱动强度设定等操作[^1]。 - **DLL 锁定与去歪斜处理**：利用内置 DLL(Delay Locked Loop) 来补偿因 PCB 延迟带来的偏差，并实现数据眼图的最大化打开程度。 - **读写均衡调节**：通过对 Vref 及 ODT(On Die Termination) 参数微调，使得读取/写入命令能够准确无误地被接收端识别出来。 - **温度传感器反馈控制**：根据环境变化动态修正关键定时参数，防止过热条件下发生错误。 - **自适应刷新率调整**：依据工作负载自动改变 SREF(self-refresh entry frequency)，从而达到节能目的的同时不影响正常运作。 - **模式寄存器编程**：通过 MR 控制字定义特定功能选项，比如 CAS Latency(CL), Write Recovery Time(WR) 或者 Burst Length(BL)[^2]。 - **最终验证测试**：执行一系列压力测试用例，确认所有可能场景下的稳定性表现良好之后才允许进入量产环节。 ```bash # 示例代码片段用于展示如何访问 PMIC 寄存器进行必要的配置 echo "0x1A" > /sys/class/regulator/pmic/set_voltage ``` #### 关键技术要点 为了顺利完成上述各个子任务，需要注意以下几点事项： - 掌握最新版本 SDK 中提供的 API 函数原型及其应用场景； - 积累丰富的实践经验以便快速定位潜在问题根源所在。