"NAND Flash技术与晶圆制造工艺简介"

FLASH的基本知识ppt课件.ppt；FLASH的基本知识ppt课件.ppt;什么叫NAND flash NAND flash是一种非易失闪存技术，由东芝公司开发。它具有较高的单元密度，可以实现高存储密度，并且具有快速的写入和擦除速度。相比之下，NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，因此在给定的模具尺寸下可以提供更高的容量。主要功能是用于存储数据，在目前广泛应用于各类数码产品中。 1. 什么是晶圆 晶圆是用于制作硅半导体集成电路的硅晶片。它通常具有圆形的形状，因此被称为晶圆。在晶圆上，可以加工制作各种电路元素结构，从而形成具有特定电性功能的集成电路产品。 晶圆的原始材料是硅，而地壳表面含有丰富的二氧化硅。首先，二氧化硅矿石经过电弧炉的提炼、盐酸氯化和蒸馏等过程，制得高纯度的多晶硅。该多晶硅的纯度可以达到0.99999999999，非常高。然后，晶圆制造厂将高纯度的多晶硅融解，并在融液中加入小晶种。然后，将其慢慢拉出，形成圆柱状的单晶硅晶棒。这个过程被称为“长晶”。最后，经过研磨、抛光和切片等步骤，单晶硅晶棒成为集成电路工厂的原材料，即硅晶圆片，也就是我们通常说的“晶圆”。 2. 什么是FLASH制程 FLASH制程是指制作FLASH芯片的工艺流程。FLASH芯片是一种使用FLASH技术制造的集成电路产品。FLASH芯片的制造过程通常包括以下几个主要步骤：晶圆清洗、形成晶圆柱、形成门电极、形成浮动栅等。通常，制程的细节会因不同芯片制造商和产品规格而有所不同。 在FLASH制程中，关键步骤之一是形成晶圆柱。在这个步骤中，利用化学腐蚀等技术将晶圆柱的表面层剥离，然后在剥离的表面上形成门电极。接下来，通过控制栅极电势来控制晶圆柱表面的电荷分布，从而改变晶圆柱的导电性。这样，就可以实现精确的写入和擦除操作，实现数据的存储和读取。 FLASH制程中的主要挑战之一是缩小晶圆柱的尺寸。随着技术的进步，芯片制造商可以制造出尺寸更小、存储容量更大的FLASH芯片。常见的制程参数有19nm、20nm、21nm、24nm、34nm、43nm等。这些数字表示制程中晶圆柱的尺寸，即每个晶圆柱上的存储单元数量。更小的制程参数意味着更高的单元密度和更大的存储容量。 综上所述，NAND flash是一种非易失闪存技术，具有高存储密度和快速的写入和擦除速度。晶圆是用于制作硅半导体集成电路的硅晶片，具有特定电性功能。FLASH制程是制造FLASH芯片的工艺流程，关键步骤包括形成晶圆柱和门电极等。随着技术的进步，制程参数不断缩小，实现更高的存储容量。这些知识对于了解FLASH的基本原理和制造过程具有重要意义。