
S3C44B0X中文手册:内存控制器详解
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更新于2025-01-09
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本章节详细介绍了S3C44B0X中文数据手册的第四章内容,主要关注于内存控制器的相关特性。首先,章节概述了S3C44B0X内存控制器的功能,它为外部存储器操作提供了全面的支持,包括但不限于:
1. 小/大端模式:S3C44B0X支持两种数据传输模式,即小端模式(数据低字节先发送)和大端模式(数据高字节先发送)。用户可以通过外部引脚ENDIAN设置,初始状态取决于上拉或下拉电阻。
2. 地址空间与总线宽度:每个bank的地址空间为32M字节,总计256MB,分为8个banks。每个bank的总线宽度可以编程,支持8位、16位和32位的宽度。
3. 存储器bank配置:共有8个bank,其中6个可作为ROM或SRAM映射空间,另外2个用于FP/EDO/SDRAM等映射。其中有7个bank的起始地址是固定的,但大小可编程,而最后一个bank的起始地址是灵活的,大小同样可编程。
4. 操作周期和总线扩展:所有bank支持可编程的操作周期,并通过外部等待机制扩展总线周期,提高系统性能。
5. 内存接口:专有的DRAM/SDRAM接口支持自刷新模式,同时支持异步和同步工作模式,为不同类型的内存提供了兼容性。
6. Bank0总线宽度设定:特别提到BootROM位于Bank0区域,其数据总线宽度可以通过OM[1:0]引脚的逻辑电平进行硬件设定,具体如表3-4所示,这体现了S3C44B0X的灵活性和可定制化特性。
这部分内容对于理解和设计使用S3C44B0X芯片的系统架构至关重要,特别是在涉及内存管理和数据传输优化时。掌握这些细节有助于开发者根据项目需求调整内存配置,提升系统的性能和稳定性。
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