S3C44B0X中文手册：内存控制器详解

本章节详细介绍了S3C44B0X中文数据手册的第四章内容，主要关注于内存控制器的相关特性。首先，章节概述了S3C44B0X内存控制器的功能，它为外部存储器操作提供了全面的支持，包括但不限于： 1. 小/大端模式：S3C44B0X支持两种数据传输模式，即小端模式（数据低字节先发送）和大端模式（数据高字节先发送）。用户可以通过外部引脚ENDIAN设置，初始状态取决于上拉或下拉电阻。 2. 地址空间与总线宽度：每个bank的地址空间为32M字节，总计256MB，分为8个banks。每个bank的总线宽度可以编程，支持8位、16位和32位的宽度。 3. 存储器bank配置：共有8个bank，其中6个可作为ROM或SRAM映射空间，另外2个用于FP/EDO/SDRAM等映射。其中有7个bank的起始地址是固定的，但大小可编程，而最后一个bank的起始地址是灵活的，大小同样可编程。 4. 操作周期和总线扩展：所有bank支持可编程的操作周期，并通过外部等待机制扩展总线周期，提高系统性能。 5. 内存接口：专有的DRAM/SDRAM接口支持自刷新模式，同时支持异步和同步工作模式，为不同类型的内存提供了兼容性。 6. Bank0总线宽度设定：特别提到BootROM位于Bank0区域，其数据总线宽度可以通过OM[1:0]引脚的逻辑电平进行硬件设定，具体如表3-4所示，这体现了S3C44B0X的灵活性和可定制化特性。 这部分内容对于理解和设计使用S3C44B0X芯片的系统架构至关重要，特别是在涉及内存管理和数据传输优化时。掌握这些细节有助于开发者根据项目需求调整内存配置，提升系统的性能和稳定性。