MDD辰达半导体

动态

• 发布了文章 2025-08-28 09:39

  MDD稳压二极管开路失效问题解析

  

  MDD稳压二极管（ZenerDiode）作为电子电路中常见的电压基准与保护元件，因其反向击穿时能够提供相对稳定的电压而被广泛应用。然而，在实际使用过程中，稳压管并不是“永不失效”的器件，它也会出现开路、短路或参数漂移等问题。其中，开路失效是一种较为典型的失效模式，对电路功能影响很大。作为FAE，在现场支持客户时，常常需要针对这种现象进行分析和解答。一、什么是

  MDD 器件 稳压二极管

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• 发布了文章 2025-08-27 10:28

  稳压二极管为什么电压不稳？

  

  MDD辰达半导体的稳压二极管（ZenerDiode）因其在反向击穿区具有相对稳定的电压特性，被广泛应用于电路基准源、过压保护和小电流稳压场合。然而，在实际应用中，许多工程师或初学者会发现，稳压二极管在电路中的电压并不总是像教科书里描述的那样稳定：有时电压偏高，有时偏低，甚至随负载和温度变化而波动。那么，造成稳压二极管电压不稳的原因究竟有哪些呢？一、工作电流不

  半导体 电压 稳压二极管

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• 发布了文章 2025-08-21 10:01

  浪涌多次作用后，TVS参数会不会漂移？

  

  MDD辰达半导体-瞬态电压抑制二极管（TVS）是一类专门用于吸收瞬态过电压、保护电路中敏感元件的器件。它通过在过压瞬间迅速击穿导通，将能量分流至地，从而限制电压尖峰幅度。许多工程师在使用过程中常常会问：如果系统多次遭受浪涌冲击，TVS的参数会不会发生漂移？它还能保持原有的防护性能吗？一、TVS的工作机理与应力积累TVS在浪涌事件中承受的是极高的瞬态电流和功率

  TVS二极管 二极管 浪涌

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• 发布了文章 2025-08-20 10:16

  MDDTVS参数选型不清楚的常见问题解析

  

  在电子产品的防护设计中，MDD瞬态电压抑制二极管（TVS）被广泛应用于应对静电放电（ESD）、浪涌、电快速脉冲（EFT）等瞬态干扰。然而，许多工程师在选型过程中往往只关注某一两个关键参数，而忽略了TVS在不同应用条件下的综合特性，导致实际防护效果与预期差距较大，甚至引发器件失效或系统不稳定。下面是TVS选型不清楚的典型问题。一、对工作电压与击穿电压的理解不足

  MDD TVS 二极管

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• 发布了文章 2025-08-14 09:40

  MDD肖特基二极管的雪崩耐量及其工程意义

  

  在功率器件的参数表中，我们常看到MOSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent(IAR)指标，用于描述器件在雪崩条件下的承受能力。然而，在MDD肖特基二极管的规格书中，“雪崩耐量”并不总是显式列出，甚至很多工程师会忽略这一特性。实际上，在高压、大电流、感性负载场景下，SBD也可能面临雪崩冲击，如果忽视这一点，轻则效率

  MDD 功率器件 肖特基二极管

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• 发布了文章 2025-08-13 09:53

  MDD肖特基二极管在光伏与车载 OBC 的应用场景及案例

  

  MDD肖特基二极管因其低正向压降（VF）、无明显反向恢复时间（trr）和高频特性，在高效率电源领域有着不可替代的作用。随着新能源产业的高速发展，光伏发电系统与车载OBC（On-boardCharger，车载充电机）对功率器件提出了更高的效率、耐温和可靠性要求。作为FAE，在项目支持中我们发现，SBD在这两类应用中虽场景不同，但核心需求高度一致：降低功耗、提升

  OBC 二极管 光伏 肖特基二极管

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• 发布了文章 2025-08-07 09:40

  MDD高效率整流管的调试与验证建议

  

  MDD辰达半导体的高效率整流管（如肖特基、快恢复、超快恢复以及SiC二极管）是现代电源系统中不可或缺的器件，广泛应用于服务器电源、适配器、光伏逆变器、车载OBC等场合。整流管性能直接影响系统效率、温升和稳定性。因此，调试与验证阶段必须做好全面评估，才能保障器件长期可靠运行。作为FAE，我们总结出以下实用的调试与验证建议，供参考。一、核心调试目标在电源系统中，

  MDD 整流管 高效率

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• 发布了文章 2025-08-06 09:50

  MDD高效率整流管反向击穿问题分析与应用对策

  

  在现代电源系统中，MDD辰达半导体的高效率整流管（如肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管）因其低正向压降、快速反向恢复特性，广泛应用于适配器、开关电源、充电器、服务器电源和光伏逆变等高频高效率场景。但在实际应用中，整流管反向击穿是一个常见且严重的问题，轻则导致整流效率下降，重则损坏器件、影响系统可靠性。本文从击穿机理、常见原因、实际案例和设计建议四方面

  MDD 整流管 电源系统

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• 发布了文章 2025-07-31 09:29

  超快恢复二极管器件串并联导致均压均流问题分析

  

  在电源系统、变频器及高频功率变换设备中，MDD辰达半导体的超快恢复二极管凭借其反向恢复时间短、开关损耗低的特点，广泛应用于高频整流和续流电路。但在某些大功率应用中，为了满足更高的电压或电流需求，工程师往往采用器件串联或并联的方式。然而，若忽视器件之间的特性差异及配套设计，容易引发均压均流问题，最终造成电路效率降低甚至器件失效。一、串联应用中的均压挑战当需要承

  二极管 并联

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• 发布了文章 2025-07-30 10:09

  超快恢复二极管选型不当导致效率降低的分析与应对

  

  在高频、高效电源设计领域，辰达半导体超快恢复二极管凭借其极短的反向恢复时间（Trr）和低反向电流损耗，成为开关电源、逆变器、功率因数校正（PFC）等场合中的重要器件。然而，工程实践中常见因选型不当而造成的系统效率下降甚至器件失效问题，值得引起重视。本文将围绕超快恢复二极管选型失误引发的效率降低问题，结合实务经验加以解析，并给出应对建议。一、效率下降的根本原因

  二极管 半导体

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