(王道计算机组成原理)第三章存储系统-第二节:主存储器 2(SRAM、DRAM及其地址线复用技术)

本文详细介绍了DRAM和SRAM的区别,包括它们的存储元件、读写速度、成本和功耗。DRAM需要定期刷新以保持数据,而SRAM则不需要。此外,文章还探讨了DRAM的刷新机制,包括分散刷新、集中刷新和异步刷新的优缺点。最后,讲解了DRAM的地址线复用技术,以简化地址线电路。

一:存储器元件不同导致的特性差异

DRAM芯片与SRAM芯片的核心区别在于它们所使用的存储单元(即存储元)材料和工作原理不同

  • DRAM(动态随机访问存储器) :使用栅极电容作为存储单元;
  • SRAM(静态随机访问存储器) :使用双稳态触发器作为存储单元。

如下图,上一节中我们介绍的芯片实际上指的是 DRAM芯片 ,它主要用于构建计算机系统的主存

在这里插入图片描述

(1)栅极电容

栅极电容是DRAM存储单元的核心组件。当字选择线施加高电平时,MOS管导通;若此时数据线也为高电平,由于电容一端接地,电容两极之间将形成电压差,从而

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