台積次世代技術大突破 開啟後矽時代新契機

台積電（2330）次世代技術大突破，在國科會計畫支持下，台積電攜手陽明交大團隊，成功開發出高效能的單層二硫化鉬（MoS2）頂閘極電晶體，有助突破摩爾定律極限，開啟「後矽」時代新契機。

國科會昨（6）日釋出台積電這項重要技術突破的消息，同時透露相關成果獲國際科學界公認的頂尖學術期刊《Nature Electronics》刊出，凸顯這項技術的重要性。

業界指出，為了突破摩爾定律極限，半導體製程後續進入1奈米以下時，探索新材料為必然的路徑，二硫化鉬成為備受矚目的新材料，預計在約1奈米以下的0.7奈米（A7製程） / CFET 時代導入。

包括應用材料、艾司摩爾（ASML）、AIXTRON、ASM International及Lam Research等半導體設備巨頭都積極投入研發對應二硫化鉬新材料的設備與技術需求，透露其獲得重視的程度。

國科會說明，手機、電腦甚至未來的AI智慧裝置，都需要運算速度更快、耗電更低的半導體晶片。然而，傳統矽半導體技術，已逐漸逼近物理極限。

為此，全世界科學家都在尋找下一代半導體材料，而「二維半導體」因為薄到只有原子級厚度，被視為延續摩爾定律，讓晶片持續微縮與提升效能的重要關鍵。

國科會「世代前瞻半導體專案計畫」及「晶創台灣-次世代半導體材料與元件整合關鍵技術」計畫支持下，陽明交大電子物理系、中研院應用科學研究中心教授張文豪團隊，攜手台積電Iuliana Radu博士團隊及陽明交大半導體工程學系教授李宗恩，針對二維半導體長期以來面臨的「介面問題」提出解決方案。

張文豪表示，未來二維半導體真正的競爭，不只是材料，而是介面工程。這項技術最大價值是建立可廣泛應用於不同二維半導體材料的平台技術。未來可望發展出更高速、更低功耗的電子元件，並與現有的半導體製程完美結合，為「後矽時代」的晶片技術奠定重要基礎，也再次展現台灣在次世代半導體領域的創新實力與國際競爭力。